導語：如何才能寫好一篇半導體芯片制造技術，這就需要搜集整理更多的資料和文獻，歡迎閱讀由公文云整理的十篇范文，供你借鑒。

篇1

金融危機的到來讓全球半導體行業(yè)受到了巨大的沖擊，中國半導體行業(yè)同時也進入“立冬”已經是不爭的事實。

寧波中緯公司因為資金虧空破產，在2008年10月6日以1.7億元人民幣的價格拍賣給深圳比亞迪有限公司――一家半導體“圈外”的企業(yè)。而在今年5月份，被稱為“TD　芯片龍頭企業(yè)”的凱明信息科技股份有限公司由于資金鏈斷裂而破產，最直接的原因就是股東不再繼續(xù)投資。位于上海張江高科技同區(qū)的鼎芯通訊(上海)有限公司，曾被譽為“中國射頻第一芯”，由于行業(yè)原因不但放棄了上市計劃，還裁員收縮成本，成為了一家不到20人的企業(yè)。不論是半導體制造業(yè)、設計業(yè)還是上下游產業(yè)公司，無一不收緊荷包，咬牙抗“寒”，整個半導體產業(yè)彌漫著濃重的悲觀情緒。周身都淹沒在夜幕中的半導體產業(yè)，似乎在茫茫黑夜中找不到任何出路。而根據Gartner的初步估計，在全球經濟危機的影響下，預計2009年全球半導體行業(yè)收入增長幅度已經調低至1％。相對于之前業(yè)內觀察者的樂觀預計，Gartner的分析師們認為當今的形式已經大不相同，2009年全球半導體行業(yè)收入總計大概只能達到2820億美元，這個數字比2008年的數據只增長了1％，也就是說2009年全球半導體行業(yè)收入將比之前預期的3077億美元降低250多億美元。

在當前嚴峻的形勢下，中微半導體設備有限公司(AMEC，以下簡稱為中微半導體)卻再一次獲得了來自美國華登國際風險投資公司(以下簡稱為華登國際)、上海創(chuàng)業(yè)投資有限公司等高達5800萬美元的第三輪融資，這似乎又給業(yè)內帶來一線生機。面對金融海嘯的到來，中國半導體產業(yè)是否毫無反抗之力?如何才能夠在“嚴冬”之中找到希望的生機?

受傷

“現在全世界每一個行業(yè)都是‘冬天’，半導體行業(yè)也不例外?！边@是華登國際董事總經理黃慶在接受本刊記者采訪時說的第一句話。事實上，經濟危機的日漸衰退已經開始影響到了實體經濟，而全球半導體制造商正在著日益惡化的業(yè)績報告和訂單減少的消息。作為全球領先的芯片制造商，美國德州儀器公司(TXN)在2008年第三季度收入疲軟，將無線業(yè)務的開支削減了三分之一――超過了2億美元，并將部分無線業(yè)務予以出售。不僅僅是美同，由于芯片需求的下滑，亞洲的半導體制造商也紛紛開始下調他們的產量、投資以及利潤預期。日本NEC公司旗下的NEC電子也將2009年營運利潤的預期下調了90％，降至10億日元(約1033萬美元)。中國臺灣力晶半導體公司的硅晶圓也由于芯片制造商的庫存調整策略而面對訂單減少和取消的麻煩。

事實上，這一波金融海嘯早已影響到了中國國內半導體產業(yè)。自2008年初開始，有關半導體產業(yè)的“泡沫論”已經傳的沸沸揚揚。TD芯片核心廠商凱明公司以及CMMB芯片供應商安凡微電子公司的相繼倒閉，數字電視芯片商清華凌訊的大幅裁員，TD射頻芯片商鼎芯以及多媒體處理芯片智多微電子、杰得先后陷入資金困局，一系列的壞消息接踵而至，而這些僅僅是芯片設計環(huán)節(jié)中的問題。在半導體產業(yè)的制造環(huán)節(jié)和封裝環(huán)節(jié)中同樣存在著一大堆難題。業(yè)內人士認為，由于半導體行業(yè)的投資回報率太低，因此VC/PE已經乏于關注。根據全球半導體聯盟GSA的報告，2008年第三季度，半導體公司從風險投資機構那里所得到的風險投資為2.316億美元，比2007年第二季度下降了44％，比2007年同期下降了57％。報告中顯示，2008年第三季度中總共有21家無工廠(fabless，即通過將半導體的生產制造外包予專業(yè)晶圓代工半導體制造廠商來取得優(yōu)勢的公司)半導體公司和集成設備制造商(IDM)獲得風險投資，交易數量比第二季度下降10％，比2007年同期下降44％。

“華登國際會秉持著長線投資的策略繼續(xù)關注半導體行業(yè)，不過我們投資的時候會更加謹慎了。”黃慶表示?！澳壳爸袊袌鲋?，上市公司的表現都非常不好，而沒有上市的公司都在掙扎之中，沒有足夠的競爭力，也無法與美國和中國臺灣的太公司相競爭?！敝袊箨懓雽w可謂成也foundry(代工模式)，敗也foundry。早在2000年，中國大陸半導體就是依靠代工模式業(yè)興起的，從華潤上華科技150mm的生產線首開了大陸代工模式的先河之后，中芯國際、宏力半導體又開建了200mm的生產線，之后華虹NEC向代工工廠轉型，一時間代工模式幾乎成為了大陸半導體的代名詞。然而，國際代工工廠大者恒大的演變格局，終于使中國大陸代工模式的發(fā)展出現瓶頸――本土IC設計能力的匱乏?！懊绹前雽w產業(yè)的發(fā)源地，中國臺灣的半導體產業(yè)也經過了二十多年的發(fā)展，中國大陸的半導體產業(yè)不過才幾年的歷史，所以在系統端和模組端都還不夠成熟，尚處于需要積累的階段。”智基創(chuàng)投投資副總裁何啟勛表示。

療傷

與無可爭議的全球電子制造業(yè)霸主美國相比，無“芯”之痛一直是中國電子行業(yè)內最大的心病。從整個半導體產業(yè)鏈來分析，半導體產業(yè)的核心部分基本上分為芯片的設計、生產制造，以及測試、封裝幾個環(huán)節(jié)。大的半導體廠商一般不直接參與最終用戶終端產品的制造，而是通過負責應用開發(fā)的系統和終端廠商與最終用戶建立間接聯系，因此，處于半導體產業(yè)鏈頂端的芯片設計就成為了兵家必爭之地。

對于一個芯片設計公司而言，缺乏技術就意味著難以長久生存?！鞍雽w行業(yè)范圍很廣，不論是代工、設計、封裝都是各有特點，但是總體來說國內半導體行業(yè)不具有競爭力的主要原因就是技術?！秉S慶表示，“換言之就是人才問題。由于半導體行業(yè)本身發(fā)展于美國，因此很多美國企業(yè)都有著多年的研發(fā)經驗積累，而中國的技術根基還不夠牢固，談不上技術的積累，因此缺乏競爭力和抗風險能力?！笔聦嵣?，中國芯片產業(yè)目前正遭遇兩大發(fā)展瓶頸，一方面上游設備和材料產業(yè)嚴重滯后，另一方面芯片設計企業(yè)與下游整機企業(yè)缺乏戰(zhàn)略聯動，兩者嚴重制約了中國芯片產業(yè)的發(fā)展速度。早在2000年出臺的“18號文件”鼓勵了芯片和軟件產業(yè)的發(fā)展，使得芯片產業(yè)進入了一個高速成長期。海外產業(yè)巨頭們看中了中國大陸廉價的制造成本，并迅速涌入，而芯片的核心設計技術卻依舊沒有踏入國門。

“除了芯片設計外，生產環(huán)節(jié)能否領先也十分依賴于技術?！秉S慶表示?！皬娜澜绲慕嵌葋砜?，中國臺灣積體電路制造股份有限公司(TSMC，以下簡稱為臺積電)是遠遠走在其他代工工廠之前的，公司的PS值(Price to Sales，即市銷率)高達4，PS值這么高的原因就是技術遙遙領先?！奔夹g就是發(fā)展的動力，面對飛速變化的市場，如果沒有掌握核心的

技術，想要及時應對市場的變化而做出產品的調整是非常困難的?！鞍雽w行業(yè)每三年要更換一代產品，沒有強大的研發(fā)能力只能被淘汰?！?/p>

投資半導體產業(yè)，事實上是一個以小搏大的概念，而當初中國臺灣的創(chuàng)投業(yè)關注半導體行業(yè)也正因為如此。“這個行業(yè)的‘冬天’來了，大環(huán)境的影響是第一個原因，技術不夠先進而沒有競爭力是第二個原因，第三個原因則是整個電子業(yè)發(fā)展到現在已經比較成熟了?！焙螁渍J為。由于電子業(yè)的市場日趨成熟，一些想要進人這個行業(yè)的小型公司將會遇到更大的門檻。而中國國內目前500多家大大小小的芯片設計公司可能絕大部分都熬不過這個“冬天”?！爸袊芏嘣O計公司都太小，沒有競爭實力，如果合并成為一個大公司，或許能增強競爭力而繼續(xù)存活，所以年底可能會在這個領域中出現很多并購?！秉S慶表示。

多數面臨困境的芯片設計企業(yè)也許將自生自滅，而對于中星微電子、珠海炬力和展訊通信這樣已經上市的企業(yè)來說，當下的日子一樣不好過。據2008年第二季度財報顯示，中星微電子凈虧損100萬美元，珠海炬力的凈利潤下滑超過20％，而展訊通信的凈利潤同比下滑6％，運營利潤率由去年同期7.9％跌至4.2％。整個中國半導體市場籠罩在一片“寒冬”之氣中。

愈傷

莫非“很受傷”的半導體產業(yè)在中國國內就根本毫無出路可言?2008年10月22日中微半導體順利完成第三輪5800萬美元融資的消息似乎給出了一個答案。作為首家專為中國和亞洲半導體產業(yè)開發(fā)加工亞微米及納米級大規(guī)模集成線路關鍵設備的公司，其關于化學汽相沉積和等離子體蝕刻的產品受到了上海市政府及工業(yè)園區(qū)的支持?！爸形雽w不論是在公司技術價值還是商業(yè)模式上都是非常成功的。”黃慶表示，“第一，中微半導體的公司團隊十分優(yōu)秀，都是來自于其最大競爭對手美國應用材料公司(Applied Materials)中最精英的一部分；第二，中微半導體面向的市場是亞洲，而公司也設立在中國，這對于他們及時應對國內市場的變化十分有利；第三，半導體是一個龐大的產業(yè)，而設備公司是支撐這個產業(yè)的根基，所以政府也十分支持中微半導體?！秉S慶還表示，由于設備公司的投資比較大，近期中微半導體還將有一系列的資金注入。

在金融風暴的沖擊下，整個業(yè)界對于半導體產業(yè)短期的走向都感到悲觀，然而把握住公司的方向同樣能夠適當抵抗經濟危機帶來的影響?！皬南M芯電子角度來講，個人電腦已經發(fā)展成熟，這個領域的芯片公司會而臨更加劇烈的競爭，因此，選擇一個有發(fā)展?jié)摿Φ男袠I(yè)，并且投資在這個領域所應用的半導體是非常有意義的?！焙螁渍J為，“比如中國的汽車業(yè)和家電業(yè)，這兩個行業(yè)所需的芯片應該會有很大的發(fā)展，畢竟要在‘紅?！邪l(fā)展是需要很高的整合能力與設計能力的?！?/p>

篇2

英特爾擁有全球最大的300毫米(12英寸)晶圓工廠網絡，大連芯片廠是英特爾在全球第八個、亞洲第一個300毫米晶圓廠。英特爾大連芯片廠總使用面積達16.3萬平方米，內含1.5萬平方米的無塵室，計劃采用英特爾先進的納米制程工藝，并配合全球主流的300毫米晶圓技術，以完善英特爾在全球的芯片生產網絡。大連芯片廠預計在2010年投產。大連芯片廠啟動還標志著英特爾在中國的投資總額已經接近40億美元。此前，英特爾在上海和成都分別設有封裝測試工廠和生產線，并在北京、上海等其他省市建立了研發(fā)中心和實驗室。

英特爾公司董事會主席克瑞格?貝瑞特博士說：“英特爾擁有全球最大、最先進的晶圓工廠網絡，能夠為客戶提供技術領先、高效節(jié)能的產品。大連芯片廠將吸收英特爾全球晶圓廠所積累的領先制造技術和豐富經驗，成為我們全球晶圓廠網絡的骨干；同時它將有助于我們更好地響應中國客戶的需求，助力合作伙伴以及中國信息產業(yè)領跑數字經濟的全新時代?！?/p>

英特爾大連芯片廠總經理科比?杰斐遜說：“英特爾大連芯片廠不僅將芯片先進制造技術引進中國，也將一貫地延續(xù)英特爾在環(huán)境健康與安全(EHS)方面的承諾與目標：在社區(qū)和行業(yè)中成為EHS的標桿，為中國帶來一個對環(huán)境影響最小的‘綠色’芯片工廠。英特爾世界一流的設計和生產標準將同樣應用于大連芯片廠，例如用水、能源和化學廢料處理的管理水平將高出當地的要求?！?/p>

在建設大連芯片廠的同時，英特爾計劃與大連理工學院及大連市政府合作設立大連半導體學院，為中國培養(yǎng)半導體先進制造的技術人才。英特爾公司副總裁兼英特爾中國大區(qū)總裁陳偉錠說：“為了應對中國產業(yè)對半導體人才的需求，英特爾采取長期深耕的策略。“英特爾將為大連半導體學院捐贈一條用于200毫米晶圓生產的各種先進設備，為學員提供親手接觸芯片生產過程的機會。基于英特爾全球晶圓廠網絡的先進技術專業(yè)支持，大連半導體學院將成為中國最先進的集成電路產業(yè)技術人才培訓基地。”

篇3

隨著科學技術的飛速發(fā)展，電子、通信、航天、航空等高新技術產業(yè)的迅速崛起，尤其是電子儀器儀表和設備等電子產品日趨小型化、多功能及智能化，高密度集成電路已成為電子工業(yè)對上述要求中不可缺少的器件。這種器件具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、低功率和輸入阻抗高的特點，因而導致這類器件對靜電越來越敏感。靜電放電是導致元器件擊穿危害和對電子設備的運行產生干擾的主要原因。ESD持續(xù)影響半導體制造業(yè)、半導體組件和系統。本書介紹了靜電放電ESD、過電應力EOS、電磁干擾EMI和電磁兼容EMC的基本原理，同時概述了半導體的制造環(huán)境及最終的系統組裝，并通過特定技術、電路和芯片的實例，提出了靜電防護網絡的一種新方法。

全書由7章組成：1.靜電學原理：以富蘭克林、法拉第、麥克斯韋等幾位著名的科學家為例介紹了靜電學的基本知識和發(fā)展歷史，然后談到了當今靜電學的熱點問題；2.制造業(yè)和靜電學基礎：討論了生產環(huán)境中的靜電放電控制問題；3.詳細地闡述了靜電放電、過電應力、電磁干擾和電磁兼容的概念；4.系統級靜電放電防護：簡要介紹了服務器、筆記本電腦、手持設備、手機、磁盤驅動器、數碼相機、汽車和空間應用中的靜電問題，討論了系統級ESD測試問題；5.組件級靜電放電問題和解決方案：重點討論了芯片上的ESD保護網絡、ESD電路示意圖和半導體芯片布圖規(guī)劃；6.系統級靜電放電問題和解決方案：重點是系統級解決方案，同時對系統級電磁兼容掃描技術等新概念進行了討論；7.靜電放電問題的未來：重點討論了現在和未來納米技術的ESD防護。

本書從半導體制造到產品使用方面對作者的ESD防護系列叢書進行了補充。它的獨特之處在于覆蓋了半導體芯片制造問題、半導體芯片的設計和現今所遇到的系統問題，以及未來的ESD現象和納米技術的發(fā)展。本書深入淺出，層次分明，可作為電力電子、電氣工程、半導體制造、納米技術等領域的研究生和科研人員很好的參考書。

篇4

一代的是W1芯片，二代是H1芯片。

集成電路（英語：integratedcircuit，縮寫作IC），或稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在電子學中是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，并時常制造在半導體晶圓表面上。晶體管發(fā)明并大量生產之后，各式固態(tài)半導體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術進步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件，集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小芯片，是一個巨大的進步。

（來源：文章屋網 ）

篇5

風雨飄搖的半導體行業(yè)

近期，全球半導體市場并不欣欣向榮。

9月16日，三星宣布要以58.5億美元收購美國SanDisk公司。9月19日，全球領先的顯卡芯片廠商nVIDIA計劃裁減360名員工，占該公司全球員工總數的大約6.5%，其中涉及中國公司員工。

這些廠商境況不妙跟美國次貸危機固然有關系，但也跟近年內存市場激烈的競爭有莫大的關系。

DRAMeXchange 9月24日的數據顯示，9月下旬主流的DRAM芯片合約價（芯片廠商與PC廠商的協議價，其數量約占DRAM市場的3/4）已經跌至僅1.44美元，而9月上旬時單價還在1.75美元。

分析人士認為，跌價是因為內存芯片廠商為相互競爭興建了太多工廠，同時對微軟Windows Vista帶來內存市場增量期望太高，這就導致內存芯片廠商產能的過剩。

高庫存和價格戰(zhàn)使得內存市場哀鴻遍野。SanDisk在過去兩年中，利潤暴跌了43%，2007年只有2.18億美元，股價也由2006年的超過60美元下滑到收購談判消息泄露前的不足15美元，市值縮水了90億美元。這就是SanDisk不愿意接受三星58.5億美元的收購價后被指責“自視過高”的原因。

內存市場的供大于求，以及由此帶來的跌價讓半導體廠商不得不削減資本投入。早在9月14日，日本半導體設備協會（SEAJ）公布的8月份統計數據顯示，8月份日本半導體設備訂單金額同比下降了47.7%。SEAJ稱，訂單下降的主要原因是內存芯片供應過剩，全球芯片生產商都削減了設備支出。9月20日，在中國臺北舉行的一個投資者論壇上，瑞士信貸（CreditSuisse）也稱，在全球金融危機和客戶存貨水平比較高等因素的影響下，由于需求減少，半導體廠商在2008年將資本開支比2007年減少20%～30%， 2009年將繼續(xù)減少資本開支。

似乎是要與瑞士信貸的預測相呼應，9月25日全球第二大儲存芯片制造商韓國現代半導體表示，公司明年的資本支出將低于2008年的2.6萬億韓元（相當于23億美元）。 現代半導體表示，由于儲存芯片需求疲軟，公司面臨著DRAM儲存芯片存貨過多、供過于求的壓力。

武漢新芯生不逢時？

被武漢市政府寄予厚望的武漢新芯12英寸芯片項目，是振興武漢光谷的重點工程。這也是全國各地政府采取“地方政府投資，芯片廠家托管”模式的最新案例。其他上馬的項目有蘇州創(chuàng)投投資50億美元的12英寸芯片制造項目和山東濟南的12英寸芯片制造項目。據了解，武漢新芯今年4月就已經開始試投產了，預計到2009年第一季度會達到每月將近3萬片的出貨規(guī)模。

記者還了解到，參與武漢新芯托管工作的核心管理人員主要來自中芯國際的上海工廠。這些核心人員很多是中芯國際總裁兼首席執(zhí)行官張汝京從臺積電高薪挖過來的。而武漢新芯的基層員工則主要由當地的電子?？茖W校提供，“薪水比其他地方要好。”一個剛從武漢一所電子學校畢業(yè)的女員工告訴記者。

中芯國際最近的2008年上半年業(yè)績報告顯示，今年上半年收入7.05億美元，相比2007年的7.63億美元減少了7.6%，凈利潤虧損2.7億美元。張汝京接受記者采訪時認為，巨虧的主要原因是公司退出了DRAM存儲芯片市場，全面戰(zhàn)略轉向邏輯芯片生產線。目前，中芯國際邏輯芯片的出貨量同比去年上半年增長40%，非存儲芯片業(yè)務收入已經達到6.493億美元。

顯然，中芯國際希望借助Spansion的MirrorBit技術轉讓，大幅提高65nm MirrorBit Eclipse和Spansion EcoRAM兩種產品的產量，從而加強其邏輯芯片生產能力，進一步鞏固中芯國際在閃存生產領域的領先地位，從而提升中芯國際在高附加值市場的份額。盡管中芯國際只是武漢新芯的托管方，但張汝京也表示，中芯國際不排除等武漢新芯生產線成熟后對其進行收購的可能。

Spansion首席執(zhí)行官兼總裁Bertrand Cambou對記者表示， Spansion與中芯國際合作，能以更優(yōu)越的成本為客戶提供差異化的產品，同時“與中芯國際關系的日漸深化有助于擴大我們在中國的影響，因為中國是對閃存產品需求增長速度最快的市場之一”。而業(yè)內人士則透露，Spansion的產品原來主要由臺灣積體電路制造有限公司（臺積電）代工，Spansion加強和中芯國際的合作，有制衡臺積電的意圖。

當然，由于Spansion專注于集成化的細分閃存市場（手機、消費電子、汽車電子及服務器等市場），比大眾化的閃存市場（閃存卡、USB驅動器）有更高的利潤，因此中芯國際也能得到更好的代工價格。

由于找到了成本更低的代工廠，因此Spansion計劃未來其資本投資集中在加快開發(fā)領先的MirrorBit閃存技術、開發(fā)高附加值、高利潤的解決方案，以及擴大其位于日本會津若松的處于行業(yè)領先水平的300mm SP1閃存制造工廠上。

《新時代管理講堂》隆重啟動大師云集對話企業(yè)高層

據悉,自2008年10月18日起，大型系列知識講座《新時代管理講堂》即將亮相北京。《新時代管理講堂》以名人大家的思想精髓為“點”、以當前經濟生活息息相關的現代管理為話題，輻射企業(yè)管理的每個角落，從管理、文化、信息化、個人修養(yǎng)等方面，以名家講座的方式，遍邀國內大師，讓聽眾現場聆聽企業(yè)管理和信息化管理極前沿、極權威觀點，再輔以系列商務活動，搭建一個商界精英與名流大家面對面交流的高端知識服務平臺。

《新時代管理講堂》由四大塊構成：經濟管理篇、信息化管理篇、個人成長篇以及實戰(zhàn)演繹篇。主講嘉賓中既有吳澄、范玉順、柴躍廷、胡鞍鋼、韓秀云、孫偉、于丹、彭劍峰等來自清華大學、中國人民大學、北航軟件學院、香港中文大學、北京師范大學、國家行政學院在內的知名學府的專家教授、知名學者，還包括大家所熟悉的唐駿、馬云、柳傳志、溫元凱、艾豐、葉茂中、吳文釗等社會知名人士，可謂精英薈萃，大師云集，精彩紛呈。

即將于10月18日開講的這一期的主題是“信息化引領企業(yè)管理新方向”，主講嘉賓包括清華大學教授、工程院院士吳澄，北京航空航天大學教授、軟件學院院長孫偉，工業(yè)和信息化部軟件服務業(yè)司司長趙小凡，企業(yè)管理和信息化專家吳文釗等等。其中，吳文釗的演講主題是《中國企業(yè)信息化戰(zhàn)略與戰(zhàn)術》、劉夢熊的演講主題是《奧運后的中國經濟》、趙小凡的演講主題是《中國軟件服務業(yè)政策解讀》。還將舉行由中央人民廣播電臺著名主播主持、香港知名評論家劉夢熊等嘉賓參加的《中國企業(yè)應如何應對當前經濟調整》的熱點對話，并將邀請著名經濟學家朗咸平在19日做精彩講演。

篇6

未來幾年，SiGe將繼續(xù)開發(fā)技術領先的產品，為上述市場的消費產品實現更進一步的創(chuàng)新。例如，與合作伙伴和客戶協同進行蜂窩定位(cellular positioning)軟硬件解決方案的集成工作。這種技術能在不影響蜂窩手機尺寸和電池壽命的情況下，支持基于位置(location-based)的定位服務。此外，SiGe的產品也支持更高層次的協議集成，例如在PDA等消費產品中支持Wi-Fi、藍牙和GPS服務。

WiMAX水到渠成

SiGe半導體公司首席執(zhí)行長Jim Derbyshire與我們分享了他對無線應用市場的觀點：WiMAX將成為不容忽視的技術，因為多種“殺手級應用”正在促進其推廣采用，而且就技術層面而言，基本上也已準備就緒。加上硬件供應商和新興的網絡運營商參與意愿的提高，都是WiMAX迅猛發(fā)展的催化劑。Derbyshire表示，初期推出的WiMAX應用將是寬帶架構的一種延伸，尤其是對那些固網設施還未充分發(fā)展起來的國家(如：中國、印度和巴西)來說，只要采用WiMAX，這些國家的用戶便可略過簡單的固網線路，而直接采用寬帶。

此外，WiMAX更可提供低安裝成本的無線“都市以太網”(Metro Ethernet)單點對多點鏈路，特別適用于2G/3G安裝點或Wi-Fi熱點(hotspot)的“回程傳輸”。因此SiGe認為，在2006年，移動WiMAX將會有顯著的進展，到2007年即可面市。移動WiMAX將以一種長距離“熱點”的概念引入市場。作為3G技術的替代品，雖然它并非真正的移動技術，而只是一種便攜技術，但在帶寬和成本方面卻具有優(yōu)勢。WiMAX已開始獲得市場接納，2006年將是其基礎設施安裝及系統試運行的一年；如能證明其獲得市場認可，將會令人非常振奮。

為支持WiMAX發(fā)展，SiGe半導體在市場上提供完整的收發(fā)芯片組，并與日本富士通公司(Fujitsu)合作，推出一款參考設計，作為開發(fā)具有WiMAX功能的寬帶接入系統的投產藍圖。在SiGe的努力開發(fā)下，這種芯片組正逐步集成在一些最早投入市場的WiMAX設備中。

802.11n躍升新寵

與WiMAX并行發(fā)展的是Wi-Fi，后者將繼續(xù)成為2006年的熱門話題。WLAN將繼續(xù)呈現上升走勢：其中802.11abg雖然勢頭不若以往強勁，但仍保持穩(wěn)定增長；而后起之秀的802.11n標準兼具類似于超級寬帶(UWB)特性，提供更大的無線網絡覆蓋范圍和更強的數據吞吐能力，同時也向后兼容全球眾多的現有WLAN設施。在新的一年將會大受市場歡迎，以驚人力道勁揚，一如當初802.11abg的發(fā)跡過程。

802.11n的出現，令802.11產品變得多樣化，擺脫以標準“數據”為中心的應用(如因特網)，并進入其它主流消費市場如媒體傳播。802.11n標準打開的市場商機將可使現有WLAN的市場份額立馬翻一倍。最后，3G手機將仍然是一項熱門技術。新的手機將支持面向全球運行的多蜂窩標準，以及新的Wi-Fi、藍牙(Bluetooth)和全球定位系統(GPS)服務。對于需要WLAN和藍牙功率放大器的應用，SiGe半導體提供完整的無線射頻(RF)前端模塊方案，集成了無線收發(fā)器件和天線之間所需的電路。SiGe向OEM廠商提供可立即投產的RF解決方案，幫助他們縮短設計時間和簡化產品制造。

GPS扎根手機領域

“強力推廣運作，是否真能創(chuàng)造或刺激市場需求？”相信是所有供應方關注的問題；歷經幾年蘊釀的GPS也不例外。在GPS上布署甚早、體驗深刻的SiGe表示，經過長時間的努力，GPS終于開始滲入手機領域，2006年將有幾款中等檔次的GPS電話推出，預料這將推動消費者對GPS的認可，并增加手機內的芯片容量，提高服務供應商的營收?！斑@從市場對閃存技術需求的日益增加就可窺見端倪”，Derbyshire說，“閃存對SiGe多種應用領域具有指標性意義，盡管我們并不生產這些器件，但一直密切關注其供應情況?！盌erbyshire認為，如果受限于生產能力而使供應速度減慢，那么相應產品的銷售量也會隨之下滑(尤其是手機)。

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關鍵詞：項目管理；評估學；半導體芯片；生產導入

1 引言

當前社會，小到遙控器大到計算機服務器都離不開芯片，芯片已經在我們身邊無處不在。龐大的市場需求使得國內芯片制造企業(yè)猶如雨后春筍般涌現。芯片制造的完整過程包括芯片設計、晶圓制造、晶圓封裝及最終測試。復雜的工藝流程和高額的投入成本使得芯片制造特別是封裝測試是企業(yè)提高核心競爭力的關鍵所在。

為提高電子制造業(yè)的核心競爭力，工業(yè)和信息化部于2012年制定了《電子信息制造業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》，大力發(fā)展芯片制造業(yè)，提升芯片封裝測試的技術水平，擴大芯片制造業(yè)的產能和規(guī)模。中國芯片制造行業(yè)進入了飛速發(fā)展的階段。對于企業(yè)本身，必須搶在競爭對手之前將產品迅速推入市場，獲得更多的客戶。除了不斷的降低成本，還需要保證產品的質量。選擇正確可行的技術評估方案可以加快生產導入，使得產品順利量產，盡早的推入市場，最終贏得客戶。本文主要是運用項目管理中的項目評估等理論工具結合實際來介紹項目技術評估在芯片生產導入階段的重要性。

2 概述

2.1 項目管理

美國項目管理協會于1987年在《項目管理知識指南》書中對項目管理做了一個大概的定義：項目管理就是指把各種系統、方法和人員結合在一起，在規(guī)定的時間、預算和質量目標范圍內完成項目的各項工作，有效的項目管理是指在規(guī)定用來實現具體目標和指標的時間內，對組織機構資源進行計劃、引導和控制工作。

2.2 項目技術評估

項目技術評估是對項目所使用的技術、技術裝備和項目實施技術等方面的可行性所進行的評估；這一評估的作用是對項目技術可行性進行科學的分析與評價，以減少項目的盲目決策所造成的損失。項目技術方案在項目實施過程中會有一些優(yōu)化，所以對于項目技術方案也需要開展項目的跟蹤評估；當人，項目實施并投入一定時期之后，人們還需要對項目技術方案的實際結果進行后評估。

項目技術評估里面所使用的技術方案是項目產品生產過程為保證項目正常運轉而采用的生產技術或項目產品生產制造方法。項目技術方案的選擇是項目技術方案評估的一項起關鍵作用的基本內容。就企業(yè)來講，需要相關部門的技術專家通過開會商討確定項目工藝技術方案。該技術方案需滿足國家對企業(yè)生產質量體系認證的要求，滿足客戶的特殊要求，符合市場需求，并確保此技術方案時刻圍繞企業(yè)自身生產的標準化規(guī)范而不偏離。由此，對于項目的正確評估與否直接關系到項目產品的成本、質量和交期，事關整個項目實施的成功和失敗，影響企業(yè)能否可持續(xù)發(fā)展。

3 芯片生產導入的一些問題

3.1 生產周期長

因為目前半導體行業(yè)競爭異常激烈，企業(yè)如果希望實現可持續(xù)性發(fā)展，就必須進行創(chuàng)新，所以公司所有部門，人員，上至公司領導層下至工程師，都只對研發(fā)階段比較關注，而對生產導入環(huán)節(jié)不甚重視。實際上，不合理的研發(fā)會造成生產和研發(fā)環(huán)節(jié)的脫鉤，不能如期轉入量產，如果在研發(fā)初始階段就考慮生產導入的技術指標，同時提高生產導入的技術含量，或及時發(fā)現問題，改善后端生產能力，就不會造成在生產導入的時候困難重重，延誤量產。

3.2 工藝參數指標高

芯片封測行業(yè)的工藝參數指標隨時間推進越來越高，相反，生產導入周期卻越來越短，這就要求制定專業(yè)的生產導入技術評估方案。用專業(yè)的視角去制定合理的項目技術評估方案。反之，等到真正客戶訂單進來之后，問題重重，生產跟不上。

4 生產導入階段的技術評估方案

芯片產品的可行性分析需要保證各項可靠性測試成功，從實驗室轉入終端測試機進行模擬測試，若全部通過表明實驗成功。產品進入正式的生產。

4.1 預處理測試無偏移高壓測試

進行“無偏移高壓測試”是用來評估在潮濕冷凝或者潮濕飽和水蒸氣的環(huán)境下非氣密封裝固態(tài)原件的防潮性能。晶圓的腐蝕是預期的破壞機理。試驗條件包括溫度（121+/ -2攝氏度），相對濕度（100%），氣壓（205千帕斯卡）和持續(xù)時間。

4.2 溫度周期循環(huán)測試

這項測試是在交替極端高溫和低溫條件下用來確定組件的互連和焊接能力承受機械應力。從這些機械應力可能會導致電氣和/或物理特性永久性的變化。試驗條件包括的時間Ts（最大值），時間 Ts（最小值），循環(huán)次數，浸泡時間，斜坡率。

4.3 高溫存儲期限測試

高溫存儲測試是用來測量半導體元器件的穩(wěn)定性，包括在非電壓力加載在上升的溫度下的存儲期間，可擦除存儲器和電可擦除元器件的數據保持特性。測試的條件由溫度和持續(xù)時間組成。

4.4 功率溫度周期循環(huán)測試

這項測試適用于那些容易溫度發(fā)生飄移和在全部溫度下需要進行開和關的元器件。測試條件由時間Ts（最大值），時間 Ts（最小值），循環(huán)次數，停留時間，轉換時間。

4.5 加速溫度和濕度壓力測試

用來評估在潮濕環(huán)境下非密閉封裝固態(tài)元器件的可靠性。測試條件要求溫度，相對濕度。標稱靜態(tài)偏置應用到設備創(chuàng)建電解電池必需品以加快金屬腐蝕。

4.6 高溫運行周期測試

這項測試是用來執(zhí)行那些在極端溫度下和偏移操作規(guī)范下的加速失效機理的應用。通常壓力測試周圍環(huán)境在125度浮動。一般的測試時間是持續(xù)1008小時。

5 結論

隨著社會的發(fā)展，半導體行業(yè)的激烈競爭，根據不同客戶的特殊需求，每個產品都非常獨特。針對這種獨特性的半導體項目，要求的技術含量也很高?？傊酒圃斓陌l(fā)展還需要不斷的學習先進的技術經驗，制定更為合理有效的評估方案，使得研發(fā)和生產順利接軌，提高企業(yè)的核心競爭力。

參考文獻

[1] 戚安邦.項目評估學.南開大學出版社，2007

[2] 吳大軍，王立國.項目評估.東北財經大學出版社，2002

[3] 胡雋.項目管理在企業(yè)中的重要作用.永樂園，2003年

[4] Dannis Lock. Project management.南開大學出版社，2005

[5] Anonymous. Project Management Body of Knowledge PMBOK Guide. （美）項目管理協會，1987

[6] Peter Van Zant. Microchip Fabrication. The McGraw-Hill Companies，（US）Inc. 2000

[7] Tom Bell. Evaluation of technology in semiconductor manufacturing. International Journal of Production Research， 2008

[8] 尹浩，新產品導入流程研究，四川大學出版社，2003

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英特爾的如意算盤 － 事業(yè)版圖大擴張

拓分析，一向將in-house先進制程視為發(fā)展重心的英特爾，愿意敞開心房將業(yè)務外包給臺積電，透露出英特爾積極拓展營運版圖的企圖心。特別在面對強調“多樣”、“少量”和“Time to Market”三大特色的通信與消費性市場時，如何滿足客戶各式各樣客制化需求及降低生產成本，便成為英特爾必須面對的當務之急，此時找上具有高度制程彈性、經濟生產規(guī)模和高良率優(yōu)勢的臺積電，可說其來有自。

與臺積電結盟的好處還不只這些，拓認為英特爾將藉此調整產能，集中火力發(fā)展公司核心技術，降低因擴充產能所產生的大量資本支出風險。此外拓也推測，在英特爾有意進軍又愛又恨的山寨市場，又想保住“名門大廠”清譽的情況下，可能采取產品線切割方式，將中國山寨市場的相關訂單，委由臺積電代工生產；除了品牌效應之外，透過臺積電OIP平臺服務開發(fā)不同性質或小規(guī)?？蛻粢捕际强紤]重點。

臺積電的如意算盤 － 霸主地位無人敵

對臺積電而言，盡管客戶名單早已囊括全球一線大廠，但能夠和久攻不下的英特爾合作，更是意義非凡！首先，臺積電補齊了CPU代工這條產品線，更可迅速提升包括45nm以下的高階制程技術和產能利用率，未來在硅智財（IP）發(fā)展應用上將更具競爭力。

其次，這項合作案無疑是借著英特爾為臺積電專業(yè)代工和OIP商業(yè)模式“掛保證”，使得“臺積電式制造服務業(yè)”可望變成全球半導體制造新主流，臺積電在半導體產業(yè)的地位也更加堅不可摧，未來接獲國際大廠委外訂單機會大增，可望率先掃除不景氣的陰霾，迎接景氣春天第一道曙光。臺積電獨特產業(yè)地位加上客戶遍布各領域，無疑是全球半導體產業(yè)復蘇的領頭羊，同時也是觀察以出口為導向的臺灣地區(qū)經濟發(fā)展，最重要先行指標之一。

兩強連手全球受惠 － 復蘇號角已響起

半導體兩大巨頭和樂融融地同臺演出，臺面下卻免不了一波波暗潮洶涌！拓指出，不只英特爾必須承擔先進制程技術可能外泄的風險，臺積電原有客戶如Qualcomm、nVidia以及Third Party合作伙伴如ARM等，也可能對彼此的合作關系產生疑慮，甚至因此另外尋求Second Source也不無可能，這也是臺積電歡慶事業(yè)版圖再下一城之時所必須意識的危機。

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無論是處理器、圖形處理芯片，還是存儲模塊來說，半導體行業(yè)都在盡力提高微芯片的速度。但高速發(fā)展的步伐可能會遇到巨大的障礙。問題來自于更快的時鐘速率導致的發(fā)熱，因為現代半導體架構只有幾層原子厚。量子效應導致層之間的電流泄露變得越來越嚴重，芯片能耗和熱損失也在急劇增加。在過去三年中，CPU的平均功耗幾乎增加了一倍。在極端的情況下，超過100w的能量被浪費在產生熱量上了，而且這個數字還在增加。

如何有效地為處理器降溫對于PC及配件生產廠家來說成了一個越來越難以解決的問題。許多廠家采取應對措施，發(fā)展的步伐并沒有停止，10GHz的處理器也將在2007年初現曙光。

Gordon Moore在Intel成立之初是技術總監(jiān)，他在1965年提出半導體芯片的復雜程度將在每18個月增加一倍，而計算能力也將同比增長，這就是一一著名的摩爾定律。

在其后的將近40年中，行業(yè)的發(fā)展都基本符合了這一定律，看起來似乎它還將在未來十年中繼續(xù)有效。

目前處理器技術的基礎是CMOS(互補金屬氧化物半導體，ComplementaryMetaI Oxide Semiconductor)晶體管。一個晶體管有三個基本部分構成：源極、柵極和漏極。如果在柵極加載一個電壓，源極到漏極之間就形成了一個電流的通路。電流流經的路線叫溝槽。如果在柵極上沒有電壓，那么晶體管就把這個通路阻斷，也就是處于關閉的狀態(tài)。通過利用這種功能，多個晶體管一起可以組成各種電路。六個晶體管就足夠在存儲芯片中形成一個存儲單元了。但是現代處理器或者圖形芯片復雜的功能性經常需要超過10，000個晶體管共同構成一個存儲單元?？偟膩碚f，在處理器中晶體管的數目相當巨大：在最新的AMDAthlon 64中有1億600萬個，而在Intel的Pentium 4中有1億2500萬個，所有這些晶體管都分布在指甲蓋大小的面積上。圖形芯片甚至更為復雜：Nvidia的Geforce FX 6800就有2億2200萬個晶體管。

隨著時間的推移人們需要以更小的半導體架構來集成大量的晶體管，而且要達到更高的頻率。

目前在PC領域中所使用的最多還是是0.13微米(一微米是一米的百萬分之一，有時可以看到它的舊稱“micron”)的晶體管。從2004年初開始，Intel在它的Prescott Pentium 4 CPU中使用90納米(0.09微米)制造工藝，最近AMD也開始使用這一工藝標準。

目前半導體制造商們已經開始研究65納米的技術，并且已經計劃在2007年能夠采用45納米的技術。在2011年，技術進步將達到22納米的水平。這些結構是通過影印術(photographic)、氣相沉積(vapour depositlon)，蝕刻術和切割等一系列工序加工而成的。在處理器被加工完成之前，需要完成幾百個獨立的步驟和非常耗時的程序。

如果在生產過程中出現了電力供應中斷(就如同1999年臺灣地震后的情況)，那么幾個星期的努力就將付諸東流。

分層結構

半導體制造業(yè)的基礎是建立在小小的、非常精巧的、純硅的薄片之上的晶元(wafer)。晶元是在嚴格真空的條件下，由不同的材料層嚴格支撐的。 光學刻蝕(photo―lithography)術是通過交替在光源中暴露和蝕刻，然后在晶元上刻出相應的溝槽。晶元的每層上都有光致抗蝕次(photosensitiveresist)，在曝光過程中，被照射到的部分下面的材料會被蝕刻。通過使用越來越強的光源，就有可能制造出越來越微小的電路。光學刻蝕的大小直接取決于所采用的光波的波長，通過使用更高的光照能源，這個數值也會隨之減小

更低的成本

生產芯片時所采用晶元的大小對于生產成本影響巨大。目前大部分的生產廠商都正在從200mm轉向使用300mm的晶元，因為這樣的話，每個晶元上所能生產的芯片數目幾乎增加了一倍。

單一晶元上所能生產的芯片數目的增加是由于隨著半徑的擴大而擴大，300mm的晶元意味著在邊角部分切割出矩形芯片所浪費的面積會更少。使用更大的晶元還能夠將生產每個芯片平均耗費的水、電降低最多40％。

新技術

目前產品化的熱點是絕緣體上覆硅晶(Silicon on lnsulator，SOI)、稱之為高K(high-k dielectrics)的材料和應變硅(strained silicon)技術。

目前處理器制造商必須解決的另一個問題是由于源極一漏極之間的溝道和柵極之間越來越薄的阻斷層(barrierlayer)造成的。AMD正在使用SOl技術來解決源極和漏極之間電流泄露的問題。通過在源極和漏極結果中使用一個附加的絕緣氧化層，可以極大地減少了由于電流泄露造成的干擾。

在目前的90納米的晶體管制造工藝中，1.2納米厚二氧化硅層只有相當于幾層原子的厚度，很快就會失去絕緣性能。如果有微弱的電流穿透它，就會增加功耗。這就導致了在柵極中高K絕緣體的應用，也就是說使這些層具有更高的電容率。這提高了晶體管的性能和轉換速度，同時使得3納米的、更厚的阻斷層成為可能。電流泄露現象可以被減少。InteI計劃在2007年的45納米制造工藝中使用高K絕緣體。

應變硅(Strained silicon)技術可以減少晶體管的反應時間。只要將一張帶有張力的硅鍺薄膜被放在溝道區(qū)域，就可以改變了半導體結構的網格結構。這導致了更大的原子通過空間，使電流中的電子的遷移率提高30％。

應變硅技術的原理是硅鍺層(SiGe)的網格大小大干純硅的網格，因此在拉伸方向的電子遷移率就會提高，這樣減少了襯底層的寄生三極管所獲得的電壓。2004年年底AMD就在它的90納米的Athlon 64 OPUs中已經采用了SOI和應變硅兩項技術。

晶體管向立體發(fā)展

在將來，AMD和Intel都計劃采用立體結構來進行晶體管設計：不同于傳統晶體管，它采用的是立體結構，電流從源極到漏極之間進行立體的流動。更大的接觸面積提高了電流的傳導率，并且有效減少了電流泄露。

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關鍵詞：半導體，超晶格，集成電路，電子器件

 

1.半導體材料的概念與特性

當今，以半導體材料為芯片的各種產品普遍進入人們的生活，如電視機，電子計算機，電子表，半導體收音機等都已經成為我們日常所不可缺少的家用電器。半導體材料為什么在今天擁有如此巨大的作用，這需要我們從了解半導體材料的概念和特性開始。

半導體是導電能力介于導體和絕緣體之間的一類物質，在某些情形下具有導體的性質。半導體材料廣泛的應用源于它們獨特的性質。首先，一般的半導體材料的電導率隨溫度的升高迅速增大，各種熱敏電阻的開發(fā)就是利用了這個特性；其次，雜質參入對半導體的性質起著決定性的作用，它們可使半導體的特性多樣化，使得PN結形成，進而制作出各種二極管和三極管；再次，半導體的電學性質會因光照引起變化，光敏電阻隨之誕生；一些半導體具有較強的溫差效應，可以利用它制作半導體制冷器等；半導體基片可以實現元器件集中制作在一個芯片上，于是產生了各種規(guī)模的集成電路。這種種特性使得半導體獲得各種各樣的用途，在科技的發(fā)展和人們的生活中都起到十分重要的作用。

2.半導體材料的發(fā)展歷程

半導體材料從發(fā)現到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，也擁有著一段長久的歷史。在20世紀初期，就曾出現過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，使半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究得到重大突破。50年代末，薄膜生長技術的開發(fā)和集成電路的發(fā)明，使得微電子技術得到進一步發(fā)展。60年代，砷化鎵材料制成半導體激光器，固溶體半導體材料在紅外線方面的研究發(fā)展，半導體材料的應用得到擴展。1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研究成功，使得半導體器件的設計與制造從“雜志工程”發(fā)展到“能帶工程”，將半導體材料的研究和應用推向了一個新的領域。90年代以來隨著移動通信技術的飛速發(fā)展，砷化鎵和磷化銦等半導體材料得成為焦點，用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子器件等；近些年，新型半導體材料的研究得到突破，以氮化鎵為代表的先進半導體材料開始體現出其超強優(yōu)越性，被稱為IT產業(yè)新的發(fā)動機。

3.各類半導體材料的介紹與應用

半導體材料多種多樣，要對其進一步的學習，我們需要從不同的類別來認識和探究。通常半導體材料分為：元素半導體、化合物半導體、固溶體半導體、非晶半導體、有機半導體、超晶格半導體材料。不同的半導體材料擁有著獨自的特點，在它們適用的領域都起到重要的作用。

3.1元素半導體材料

元素半導體材料是指由單一元素構成的具有半導體性質的材料，分布于元素周期表三至五族元素之中，以硅和鍺為典型。硅在在地殼中的含量較為豐富，約占25%，僅次于氧氣。硅在當前的應用相當廣泛，它不僅是半導體集成電路、半導體器件和硅太陽能電池的基礎材料，而且用半導體制作的電子器件和產品已經大范圍的進入到人們的生活，人們的家用電器中所用到的電子器件80%以上元件都離不開硅材料。鍺是稀有元素，地殼中的含量較少，由于鍺的特有性質，使得它的應用主要集中于制作各種二極管，三極管等。而以鍺制作的其他器件如探測器，也具備著許多的優(yōu)點，廣泛的應用于多個領域。

3.2化合物半導體材料

通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體，即是指由兩種或兩種以上元素確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構的半導體性質?；衔锇雽w材料種類繁多，按元素在元素周期表族來分類，分為三五族（如砷化鎵、磷化銦等），二六族（如硒化鋅），四四族（如碳化硅）等。如今化合物半導體材料已經在太陽能電池、光電器件、超高速器件、微波等領域占據重要的位置，且不同種類具有不同的性質，也得到不同的應用。。

3.3固溶體半導體材料

固溶體半導體材料是某些元素半導體或者化合物半導體相互溶解而形成的一種具有半導體性質的固態(tài)溶液材料，又稱為混晶體半導體或者合金半導體。隨著每種成分在固溶體中所占百分比（X值）在一定范圍內連續(xù)地改變，固溶體半導體材料的各種性質（尤其是禁帶寬度）將會連續(xù)地改變，但這種變化不會引起原來半導體材料的晶格發(fā)生變化.利用固溶體半導體這種特性可以得到多種性能的材料。

3.4非晶半導體材料

非晶半導體材料是具有半導體特性的非晶體組成的材料，如α-硅、α-鍺、α-砷化鎵、α-硫化砷、α-硒等。。這類材料，原子排列短程有序，長程無序，又稱無定形半導體，部分稱作玻璃半導體。非晶半導體按鍵合力的性質分為共價鍵非晶半導體和離子鍵非晶半導體兩類，可用液相快冷方法和真空蒸發(fā)或濺射的方法制備。在工業(yè)上，非晶半導體材料主要用于制備像傳感器、太陽能電池薄膜晶體管等非晶半導體器件。

3.5有機半導體材料

有機半導體是導電能力介于金屬和絕緣體之間，具有熱激活電導率且電導率在10-10～100S·cm的負一次方范圍內的有機物，如萘蒽、聚丙烯和聚二乙烯苯以及堿金屬和蒽的絡合物等.其中聚丙烯腈等有機高分子半導體又稱塑料半導體。有機半導體可分為有機物、聚合物和給體-受體絡合物三類。相比于硅電子產品，有機半導體芯片等產品的生產能力較差，但是擁有加工處理更方便、結實耐用、成本低廉的獨特優(yōu)點。目前，有機半導體材料及器件已廣泛應用于手機，筆記本電腦，數碼相機，有機太陽能電池等方面。

3.6超晶格微結構半導體材料

超晶格微結構半導體材料是指按所需特性設計的能帶結構，用分子束外延或金屬有機化學氣相沉積等超薄層生產技術制造出來的具有各種特異性能的超薄膜多層結構材料。由于載流子在超晶格微結構半導體中的特殊運動，使得其出現許多新的物理特性并以此開發(fā)了新一代半導體技術。。當前，對超晶格微結構半導體材料的研究和應用依然在研究之中，它的發(fā)展將不斷推動許多領域的提高和進步。

4.半導體材料的發(fā)展方向

隨著信息技術的快速發(fā)展和各種電子器件、產品等要求不斷的提高，半導體材料在未來的發(fā)展中依然起著重要的作用。在經過以Si、GaAs為代表的第一代、第二代半導體材料發(fā)展歷程后，第三代半導體材料的成為了當前的研究熱點。我們應當在兼顧第一代和第二代半導體發(fā)展的同時，加速發(fā)展第三代半導體材料。目前的半導體材料整體朝著高完整性、高均勻性、大尺寸、薄膜化、集成化、多功能化方向邁進。隨著微電子時代向光電子時代逐漸過渡，我們需要進一步提高半導體技術和產業(yè)的研究，開創(chuàng)出半導體材料的新領域。相信不久的將來，通過各種半導體材料的不斷探究和應用，我們的科技、產品、生活等方面定能得到巨大的提高和發(fā)展！

參考文獻

[1]沈能玨,孫同年,余聲明,張臣.現代電子材料技術.信息裝備的基石[M].北京：國防工業(yè)出版社,2002.

[2]靳曉宇.半導體材料的應用與發(fā)展研究[J].大眾商務,2009,(102).

[3]彭杰.淺析幾種半導體材料的應用與發(fā)展[J].硅谷, 2008,(10).

[4]半導體技術天地.2ic.cn/html/bbs.html.