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中國集成電路測試產(chǎn)業(yè)投資咨詢報告

報告屬性

【報告名稱】中國集成電路測試產(chǎn)業(yè)投資咨詢報告

【報告性質】專項調研：需方可根據(jù)需求對報告目錄修改，經(jīng)雙方確認后簽訂正式協(xié)議。

【關鍵詞】集成電路測試產(chǎn)業(yè)投資咨詢

【制作機關】中國市場調查研究中心

【交付方式】電子郵件特快專遞

【報告價格】協(xié)商定價（紙介版、電子版）

【定購電話】010-68452508010-88430838

報告目錄

一、集成電路測試概述

(一)集成電路測試產(chǎn)業(yè)定義、基本概念

(二)集成電路測試基本特點

(三)集成電路測試產(chǎn)品分類

二、集成電路測試產(chǎn)業(yè)分析

(一)國際集成電路測試產(chǎn)業(yè)發(fā)展總體概況

1、本產(chǎn)業(yè)國際現(xiàn)狀分析

2、本產(chǎn)業(yè)主要國家和地區(qū)情況

3、本產(chǎn)業(yè)國際發(fā)展趨勢分析

4、2007國際集成電路測試發(fā)展概況

(二)我國集成電路測試產(chǎn)業(yè)的發(fā)展狀況

1、我國集成電路測試產(chǎn)業(yè)發(fā)展基本情況

2、集成電路測試產(chǎn)業(yè)的總體現(xiàn)狀

3、集成電路測試行業(yè)發(fā)展中存在的問題

4、2007我國集成電路測試行業(yè)發(fā)展回顧

三、2007年中國集成電路測試市場分析

(一)我國集成電路測試整體市場規(guī)模

1、總量規(guī)模

2、增長速度

3、各季度市場情況

(二)我國集成電路測試市場發(fā)展現(xiàn)狀分析

(三)原材料市場分析

(四)集成電路測試區(qū)域市場分析

(五)集成電路測試市場結構分析

1、產(chǎn)品市場結構

2、品牌市場結構

3、區(qū)域市場結構

4、渠道市場結構

四、2007年中國集成電路測試市場供需監(jiān)測分析

(一)需求分析

1、產(chǎn)品需求

2、價格需求

3、渠道需求

4、購買需求

(二)供給分析

1、產(chǎn)品供給

2、價格供給

3、渠道供給

4、促銷供給

(三)市場特征分析

1、產(chǎn)品特征

2、價格特征

3、渠道特征

4、購買特征

五、2007年中國集成電路測試市場競爭格局與廠商市場競爭力評價

(一)競爭格局分析

(二)主力廠商市場競爭力評價

1、產(chǎn)品競爭力

2、價格競爭力

3、渠道競爭力

4、銷售競爭力

5、服務競爭力

6、品牌競爭力

六、影響2007-2010年中國集成電路測試市場發(fā)展因素

(一)有利因素

(二)不利因素

(三)政策因素

七、2007-2010年中國集成電路測試市場趨勢預測

(一)產(chǎn)品發(fā)展趨勢

(二)價格變化趨勢

(三)渠道發(fā)展趨勢

(四)用戶需求趨勢

(五)服務發(fā)展趨勢

八、2008年集成電路測試市場發(fā)展前景預測

(一)國際集成電路測試市場發(fā)展前景預測

1、國際集成電路測試產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景

2、2010年國際集成電路測試市場的發(fā)展預測

3、世界范圍集成電路測試市場的發(fā)展展望

(二)中國集成電路測試市場的發(fā)展前景

1、市場規(guī)模預測分析

2、市場結構預測分析

(三)我國集成電路測試資源配置的前景

(四)集成電路測試中長期預測

1、2007－2010年經(jīng)濟增長與集成電路測試需求預測

2、2007－2010年集成電路測試行業(yè)總產(chǎn)量預測

3、我國中長期集成電路測試市場發(fā)展策略預測

九、中國主要集成電路測試生產(chǎn)企業(yè)(列舉)

十、國內集成電路測試主要生產(chǎn)企業(yè)盈利能力比較分析

(一)2003-2007年集成電路測試行業(yè)利潤總額分析

1、2003-2007年行業(yè)利潤總額分析

2、不同規(guī)模企業(yè)利潤總額比較分析

3、不同所有制企業(yè)利潤總額比較分析

(二)2003-2007年集成電路測試行業(yè)銷售毛利率分析

(三)2003-2007年集成電路測試行業(yè)銷售利潤率分析

(四)2003-2007年集成電路測試行業(yè)總資產(chǎn)利潤率分析

(五)2003-2007年集成電路測試行業(yè)凈資產(chǎn)利潤率分析

(六)2003-2007年集成電路測試行業(yè)產(chǎn)值利稅率分析

十一.2008中國集成電路測試產(chǎn)業(yè)投資分析

(一)投資環(huán)境

1、資源環(huán)境分析

2、市場競爭分析

3、稅收政策分析

(二)投資機會

(三)集成電路測試產(chǎn)業(yè)政策優(yōu)勢

(四)投資風險及對策分析

(五)投資發(fā)展前景

1、集成電路測試市場供需發(fā)展趨勢

2、集成電路測試未來發(fā)展展望

十二、集成電路測試產(chǎn)業(yè)投資策略

(一)產(chǎn)品定位策略

1、市場細分策略

2、目標市場的選擇

(二)產(chǎn)品開發(fā)策略

1、追求產(chǎn)品質量

2、促進產(chǎn)品多元化發(fā)展

(三)渠道銷售策略

1、銷售模式分類

2、市場投資建議

(四)品牌經(jīng)營策略

1、不同品牌經(jīng)營模式

2、如何切入開拓品牌

(五)服務策略

十三、投資建議

(一)集成電路測試產(chǎn)業(yè)市場投資總體評價

(二)集成電路測試產(chǎn)業(yè)投資指導建議

十四、報告附件

(一)規(guī)模以上集成電路測試行業(yè)經(jīng)營企業(yè)通訊信息庫(excel格式)

主要內容為：法人單位代碼、法人單位名稱、法定代表人(負責人)、行政區(qū)劃代碼、通信地址、區(qū)號、電話號碼、傳真號碼、郵政編碼、電子郵箱、網(wǎng)址、工商登記注冊號、編制登記注冊號、登記注冊類型、機構類型……

(二)規(guī)模以上集成電路測試經(jīng)營數(shù)據(jù)庫(excel格式)

主要內容為：主要業(yè)務活動(或主要產(chǎn)品)、行業(yè)代碼、年末從業(yè)人員合計、全年營業(yè)收入合計、資產(chǎn)總計、工業(yè)總產(chǎn)值、工業(yè)銷售產(chǎn)值、工業(yè)增加值、流動資產(chǎn)合計、固定資產(chǎn)合計、主營業(yè)務收入、主營業(yè)務成本、主營業(yè)務稅金及附加、其他業(yè)務收入、其他業(yè)務利潤、財務費用、營業(yè)利潤、投資收益、營業(yè)外收入、利潤總額、虧損總額、利稅總額、應交所得稅、廣告費、研究開發(fā)費、經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流入、經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流出、投資活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流入、投資活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流出、籌資活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流入、籌資活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流出……

十五、報告說明

(一)報告目的

(二)研究范圍

(三)研究區(qū)域

(四)數(shù)據(jù)來源

(五)研究方法

(六)一般定義

(七)市場定義

(八)市場競爭力指標體系

(九)市場預測模型

篇2

關鍵詞：集成電路產(chǎn)業(yè)　金融危機　影響

由于集成電路的重要性，使得集成電路產(chǎn)業(yè)成為美國、日本等發(fā)達國家國民經(jīng)濟中的支柱產(chǎn)業(yè)，而集成電路制造業(yè)也正在成為很多新興發(fā)展地區(qū)，特別是亞洲發(fā)展的重點產(chǎn)業(yè)。在國內外集成電路市場加速增長的帶動下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)運行情況良好，產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)產(chǎn)銷兩旺的發(fā)展態(tài)勢。產(chǎn)業(yè)逐漸步入高速增長軌道。然而，隨著金融危機影響的加深，特別是對實體經(jīng)濟的影響，集成電路產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出了一些新的發(fā)展特點。

一、我國集成電路行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1、我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況

我國的集成電路產(chǎn)業(yè)起步于1965年，先后經(jīng)歷了自主創(chuàng)業(yè)(1965～1980年)、引進提高(1981～1989年)、重點建設(1990～1999年)和全面發(fā)展(2000至今)4個發(fā)展階段。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，我國的集成電路產(chǎn)業(yè)從無到有，從小到大，目前已初具規(guī)模。在我國政府支持政策的激勵下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)得到比以往更為快速的發(fā)展：產(chǎn)業(yè)規(guī)模急劇擴大、芯片制造工藝和技術水平迅速提升、創(chuàng)新能力持續(xù)增強、產(chǎn)業(yè)格局趨合理、領軍帶頭企業(yè)紛紛涌現(xiàn)，IC產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出蓬勃生機，進入了高速成長期。目前我國已成為全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展最快的地區(qū)之一。于此同時，我國在IC產(chǎn)業(yè)的基礎研究、技術開發(fā)、人才培養(yǎng)等方面也都取得了較大成績，我國集成電路產(chǎn)業(yè)進入全面快速發(fā)展的新階段。

2、我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的問題

我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀是發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的客觀前提，認清我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀是快速發(fā)展該產(chǎn)業(yè)的關鍵所在。我國集成電路產(chǎn)業(yè)雖已形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，但由于制造業(yè)技術層次不一，設計能力相對缺乏，其它產(chǎn)業(yè)鏈也都是處于發(fā)展初期，無法參與國際的競爭。然而，集成電路產(chǎn)業(yè)的國際化發(fā)展趨勢，造成了弱肉強食的便于全球集成電路產(chǎn)業(yè)利潤分配的“金字塔”格局。它包括產(chǎn)品品種分布的“金字塔”格局和產(chǎn)業(yè)結構垂直分工的“金字塔”格局。所謂產(chǎn)品品種分布的“金字塔”格局，以PC機為例，美國擁有高檔CPU的核心技術占有最大利潤，日本、韓國則因擁有DRAM技術而分享第二輪利潤，發(fā)展中國家一般只能生產(chǎn)低檔的電路：所謂產(chǎn)業(yè)結構垂直分工的“金字塔”格局，是指美、日、歐地區(qū)主要承接芯片設計，日本、韓國、中國臺灣省、新加坡等主要承接芯片加工，而欠發(fā)達國家主要承接集成電路封裝等初級加工組裝。在這些金字塔底層的企業(yè)，由于不掌握核心技術和創(chuàng)新知識產(chǎn)權，只能得到微薄利潤。因此，對于一個要擺脫落后狀態(tài)、在世界IC市場中占有一席之地的國家或地區(qū)而言，就必須打破世界集成電路這兩個“金字塔”格局的束縛。為此，我們一定要認清我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀，加大對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的投入，特別是注重對人力資源和技術開發(fā)的投入，使我國集成電路產(chǎn)業(yè)上升到產(chǎn)業(yè)格局中的有利地位。

3、我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的機遇

“九五”以來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展喜人，2000年國務院侶號文件頒布后，使IC產(chǎn)業(yè)規(guī)模、技術水平大為提升，特別是吸引外資及產(chǎn)品出口明顯改觀，產(chǎn)業(yè)迎來了歷史上最好的發(fā)展期。主要表現(xiàn)在：(1)國內市場需求旺盛。我國信息產(chǎn)業(yè)全行業(yè)持續(xù)、高速發(fā)展，實現(xiàn)了歷史性跨越。特別是計算機、通信、信息家電等重點整機產(chǎn)品發(fā)展迅猛，為集成電路產(chǎn)業(yè)開辟了廣闊的市場，提供了強有力的需求拉動。此外，全球信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的持續(xù)低迷、制造加工業(yè)向中國的轉移以及我國信息產(chǎn)業(yè)基地建設的提速，都為我國IC產(chǎn)業(yè)帶來了巨大的市場空間。2001年我國JC市場占世界市場的7.6％，到2002年世界lC市場同比上年增長1.6％，而我國IC市場需求同比增長63.4％，需求規(guī)模占全球IC市場的12.6％，我國已成為全球集成電路產(chǎn)品的消費大國和重要市場(胡曉慧，2008)。這是我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展之源、成長之本。

(2)投資規(guī)模迅速擴大。在國務院18號文件產(chǎn)業(yè)政策的引導下，上海、北京、深圳等地出現(xiàn)了投資集成電路業(yè)的好勢頭；天津Motorola公司投資14億美元，月產(chǎn)2.5萬片的8英寸芯片生產(chǎn)線和上海中芯國際投資15億美元，月產(chǎn)8英寸硅片4.2萬片的項目已經(jīng)投入運行；上海宏力、蘇州和艦、上海貝嶺、上海先進將投入生產(chǎn)；深圳深港、北京中芯環(huán)球8英寸線、深圳先科納米、上海松江和北京首鋼8英寸線都在抓緊建設。杭州士蘭6英寸芯片生產(chǎn)線已經(jīng)投入運行，寧波6英寸芯片生產(chǎn)線和樂山6英寸生產(chǎn)線正在抓緊建設，可望1～2年內建成投產(chǎn)。如果再算上各地和外商的意向投資項目，總投資額將更大。資金來源是多方面的，除了外資投入，國內企業(yè)和地方的投資都在增加。預計“十五”期間，我國集成電路行業(yè)新增投資將超過600億元。

(3)國內IC設計業(yè)大發(fā)展。由于整機高速發(fā)展，需求不斷變化，給IC設計業(yè)帶來了機遇與挑戰(zhàn)，促其迅速發(fā)展。據(jù)統(tǒng)計，2001年底我國共有各類集成電路設計單位100家左右，從業(yè)人員4，000人，到2002年9月底，我國集成電路設計單位猛增到389家，其中IC專業(yè)設計企業(yè)270家，通過認定的近60家，從業(yè)人員同比上年增長了4倍，有力地推動了我國集成電路設計業(yè)的發(fā)展。

(4)生產(chǎn)技術與工藝水平不斷提高。在芯片制造方面，以華虹NEC、中芯國際等為代表的我國芯片制造企業(yè)，已具備8英寸、0，24微米-0，18微米的大生產(chǎn)技術和規(guī)模生產(chǎn)能力。特別是上海中芯國際與宏力公司，可具備0，15微米-0，13微米生產(chǎn)工藝技術，與國外差距開始縮小。目前芯片制造業(yè)占IC總產(chǎn)量的20％，總銷售額的14，4％，多條新生產(chǎn)線正在建設中，制程技術也在不斷提升。

(5)企業(yè)的經(jīng)濟效益不斷改善。自2002年以來，除了少數(shù)集成電路制造企業(yè)因產(chǎn)品主要出口國外，受到國際IT產(chǎn)業(yè)市場低迷的影響外，包括外商獨資和合資企業(yè)、民營企業(yè)、改制改組的國有企業(yè)和股份制企業(yè)在內的多數(shù)集成電路企業(yè)的經(jīng)濟效益在不斷改善。

二、金融危機對我國集成電路行業(yè)的影響

1、需求角度

從出口需求角度而言，一方面，由于中國在制造業(yè)方面的成本優(yōu)勢仍然存在?？梢詭椭覈嚓P企業(yè)在出口受到影響的程度上會適度減弱，甚至因為國外消費能力下降反而可能增加對更具性價比優(yōu)勢的中國制造的集成電路產(chǎn)品的需求；另一方面對于那些主要市場分布于發(fā)展中國家與地區(qū)的企業(yè)而言，由于遠離金融風暴中心所以短

期內其出口市場需求受到的影響不會太大。

從國內需求看，我國受到這場金融危機的直接影響并不算大。而國內的問題則主要出在前期的針對通貨膨脹以及相應的國家宏觀政策背景之下所導致的一定程度的緊縮上?？紤]到融資困難等因素使得企業(yè)尤其是中小企業(yè)的資金緊張從而對工業(yè)電子產(chǎn)品的需求受到一定的影響、而家庭用戶對于相關消費電子產(chǎn)品的需求則相應地受到通脹的壓制，但由于相關產(chǎn)品價格的快速下降及居民消費能力在短期內并未受到金融危機的直接影響所以其對于家庭用戶的購買力的直接影響也仍未明顯體現(xiàn)出來。不過部分因為金融危機而失業(yè)的人群的消費能力肯定會受到直接的影響。另外，也有專家認為盡管目前國內居民的消費能力仍未受金融危機的直接影響但是考慮到對于經(jīng)濟增長前景的憂慮等心理恐慌也會導致居民的消費受到一定程度的影響，但短期內影響還不算太。

2、資金供給角度

資金環(huán)境相對復雜，IPO變難，融資成本有望下降。金融危機首先波及了全球證券市場。受其影響，中國股市至今仍處于一蹶不振的狀態(tài)。中國證券市場的低迷，使得企業(yè)通過一級市場與二級市場的融資變得難上加難，包括集成電路企業(yè)自身及其用戶企業(yè)。目前都面臨著股價與市值下跌。通過IPO融資困難方面的難題。但是隨著通縮跡象的出現(xiàn)，國家針對經(jīng)濟下滑以及通縮的市場調節(jié)政策力度正在得到體現(xiàn)。因而，信貸環(huán)境將會得到適度放松，這對于集成電路行業(yè)的資金供給則成為一種相對的利好。同時，對于大量的中小企業(yè)用戶而言，短期之內有望因信貸環(huán)境改善解決資金緊張的局面。從而使因證券市場而失去融資的機會得到彌補。從更長遠的目光來看，如果貨幣政策與財政政策改變對于經(jīng)濟形成有效地實質性支撐與心理支撐，從而使得國家證券市場走出與經(jīng)濟吻臺的獨立行情的話，那么證券市場將有望重新增強融資功能。

3、政策角度

面對金融危機的影響，我國政府積極應對，電子信息產(chǎn)業(yè)調整振興規(guī)劃已獲通過。專項規(guī)劃中設立了2010年中國信息產(chǎn)業(yè)各領域的市場目標(俞忠鈺，5288)。比如，集成電路產(chǎn)業(yè)到2010年，芯片產(chǎn)量要達到800億塊，總收入為3,000億元，年均增長率達到30％，約占全球集成電路市場份額的10％，國內自給率30％。而軟件產(chǎn)業(yè)2010年銷售額要突破10,000億元大關，出口超過100億美元等。

顯然，如何貫徹落實電子信息產(chǎn)業(yè)調整振興規(guī)劃的相關內容，制定應對措施，盡快克服國際金融危機的不利影響，推動國內集成電路產(chǎn)業(yè)的成長發(fā)展，是當前產(chǎn)業(yè)界的緊迫任務。

4、技術與人才角度

由于金融危機中更多的全球集成電路企業(yè)巨頭將發(fā)展的目光轉移到中國，因而對于國內集成電路產(chǎn)業(yè)而言，獲取更多的國外先進技術的可能性大大增加。更多的集成電路企業(yè)將發(fā)展的重心由本土向中國等發(fā)展中國家轉移。其中，原來只用于本土的先進技術將會更多地向中國等發(fā)展中國家與地區(qū)轉移，這在短期內使得國內企業(yè)有望通過與其合作來得到更好的技術支撐，從長遠來看對于中國集成電路行業(yè)在技術發(fā)展水平與應用水平方面有可能取得更快的發(fā)展，從而提高中國集成電路企業(yè)的整體競爭實力。

金融危機使發(fā)達國家集成電路企業(yè)發(fā)展環(huán)境的短期惡化，導致更多優(yōu)秀的人才將面臨嚴峻的就業(yè)與發(fā)展局面，更多的優(yōu)秀人才將有可能將其發(fā)展空間轉移到中國。這將為國內集成電路業(yè)在解決高級研發(fā)人才與高級設計人才需求方面提供良好的機遇。

三、對策建議

1、拓展內需

目前要解快市場和訂單問題，就要緊緊抓住擴大內需為集成電路產(chǎn)業(yè)帶來的市場機遇，重點開拓“家電下鄉(xiāng)，3G通信，移動電視，交通電子”等幾大新興市場，在這些新興市場，許多企業(yè)具備研制開發(fā)lC產(chǎn)品的技術基礎，其中有的品種已開發(fā)成功，有的正在研發(fā)中，最大的問題是要批量生產(chǎn)占領市場，這需要企業(yè)和政府部門做大量艱苦的工作。企業(yè)要轉型升級，將開拓國內市場與技術創(chuàng)新結合起來，同時，有關部門制定相關政策給予支持。

2、加大投入，提高創(chuàng)新能力

危機時期更要保持企業(yè)的科研實力，提高創(chuàng)新能力，力爭實現(xiàn)企業(yè)在某些特定領域技術和產(chǎn)品的領先地位，這不僅是企業(yè)克服當前危機的需要，也是長遠發(fā)展的需要；做好國家重大科技專項的實施，根據(jù)國內市場實際需求加大新產(chǎn)品開發(fā)力度，快速占領新興市場；加大投入，不失時機地實施技術改造和升級，有針對性的增強為本土企業(yè)開發(fā)產(chǎn)品的服務和支持力度。

3、完善產(chǎn)業(yè)政策，加快整合轉型，促進產(chǎn)業(yè)集聚

我國IC產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為一個上千億的產(chǎn)業(yè)，一批骨干企業(yè)成長起來，產(chǎn)業(yè)鏈也基本成型。加快整合轉型，促進產(chǎn)業(yè)集聚和企業(yè)做大做強，同樣是“化危機為機遇”的緊迫需要。

4、“內外兼修”應對金融海嘯以及行業(yè)目前的發(fā)展低谷期

一方面，我國集成電路企業(yè)要嚴格控制成本，多進行產(chǎn)品創(chuàng)新，加強研發(fā)力量，增加專利擁有量，進行庫存管理等；另一方面，我國集成電路企業(yè)要了解市場發(fā)展趨勢和客戶需求，多尋找新的市場利潤點，甚至可以通過合并方式，獲得其他企業(yè)的知識產(chǎn)權以期在目標市場獲得高速增長。“在這個過程中，肯定會有企業(yè)倒閉、重組或者被收購，但只要企業(yè)能安穩(wěn)度過這個低谷期，即將迎接的仍是新一輪的發(fā)展上揚期”(馬劍芳，2008)。

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篇3

 

1CDIO工程教育理念

 

CDIO工程教育模式，是由美國麻省理工學院、瑞典皇家工學院等四所大學共同創(chuàng)立的工程教育改革模式。是近年來國際工程教育改革的最新成果，CDIO是構思(Conceive)、設計(Design)、實施(Implement)、運作(Operate)4個英文單詞的縮寫，以產(chǎn)品從研發(fā)到運行的生命周期為載體讓學生以主動的、實踐的、與課程之間有機聯(lián)系的方式學習掌握知識&-4。迄今已有幾十所世界著名大學加入了CDIO國際組織，這些學校采用CDIO工程教育理念和教學大綱開展教學實踐，取得了良好的效果。

 

2存在的問題與課程建設思想

 

微電子技術研究的中心問題是集成電路的設計與制造,將數(shù)以億計的晶體管集成在一個芯片上。微電子技術是信息技術的基礎和支柱，是21世紀發(fā)展最活躍和技術增長最快的高新科技，其產(chǎn)業(yè)已超過汽車工業(yè)，成為全球第一大產(chǎn)業(yè)。微電子工藝課程主要介紹微電子器件和集成電路制造的工藝流程，平面工藝中各種工藝技術的基本原理、方法和主要特點。其課程建設思想是使學生對半導體器件和半導體集成電路制造工藝及原理有一個較為完整和系統(tǒng)的概念，掌握當前微電子芯片制作的工藝流程、主要設備、檢測方法及其發(fā)展趨勢^7]。

 

但目前該課程教學中存在較多問題，教學效果不佳，主要有如下幾點：(1)教材陳舊，沒有較適合的雙語教材，難以適應跨國際的微電子制造工藝新技術的快速發(fā)展;(2)教學內容信息量大，在教學時間短、內容多的情況下，教師難以合理安排教學進度;(3)在課程設置上重理論輕實踐，技術性和實踐性的內容較少，與迅速發(fā)展的工業(yè)實際脫節(jié);(4)教學方法單一,理論聯(lián)系實際不緊密，不利于學生課堂積極性的提高與創(chuàng)造性的發(fā)揮“5)實踐教學環(huán)境較差，由于微電子工藝設備十分昂貴，有待加強高校精密貴重儀器設備和優(yōu)質實驗教學資源共享平臺和運行機制的建設;(6)教評形式單一，忽略了實踐教學與考核，致使大多數(shù)學生只是死記硬背書本知識的學習方式來應付考試。

 

3微電子工藝的課程建設

 

3.1教材選取及教學內容改革

 

本課程教材選用經(jīng)歷了《芯片制造一半導體工藝制程實用教程》、《現(xiàn)代集成電路制造工藝原理》到目前的首選教材：國外電子與通信教材系列中，美國MichaelQiurk和JulianSerda著《半導體制造技術》韓鄭生的中文翻譯本。該書不僅詳細介紹芯片制造中的每一關鍵工藝，而且介紹了支持這些工藝的設備以及每一道工藝的質量檢測和故障排除;并吸收了當今最新技術資料，如用于亞0.25pm工藝的最新技術:化學機械拋光、淺槽隔離以及雙大馬士革等工藝;內容豐富、全面、深入淺出、直觀形象、思考習題量大，并附有大量的結構示意圖、設備圖和SEM圖片，學生很容易理解，最主要的相對前兩本教材,它更加突出實際工藝，弱化了較抽象的原理。

 

教學內容上采取調整部分章節(jié)，突出教學重點，并適當增減部分教學內容。本課程的目的是使學生掌握半導體芯片制造的工藝和基本原理，并具有一定的工藝設計和分析能力,課程僅32學時，而教材分20章,600頁，所以教師需要精選課堂授課內容。從襯底制備、薄膜淀積、摻雜技術到圖形加工光刻技術以及布線與組裝,所涉及的概念比較多，要突出重點：薄膜淀積(氧化、蒸發(fā)、濺射、MOCVD和外延等)，光刻與刻蝕技術、摻雜技術，需章節(jié)調整系統(tǒng)整合;對非關鍵工藝的5~8章(介紹半導體制造中的化學藥品、污染及缺陷等內容)只作為學生課后自學閱讀。第2章的半導體材料特性已在“固體物理”課程中詳細介紹，第3章的器件技術已在‘‘半導體物理“晶體管原理”課程中介紹，第20章裝配與封裝會在“集成電路封裝與測試”課程中介紹，故無需重復講解。將第9章集成電路制造工藝概況放在后面串通整過工藝講解，即通過聯(lián)系單項工藝流程,具體分析講解典型的CMOS芯片制造工藝流程,如由n-MOS和p-MOS兩個晶體管構成的CMOS反相器，這樣能夠加深對離子注入、化學氣相淀積、光刻關鍵技術、集成電路的隔離技術以及VLSI的接觸與互連技術等內容的理解。

 

另一方面，指導學生查閱相關資料，對教材內容作必要的補充，微電子工藝技術的發(fā)展迅速，因此需要隨時跟蹤微電子工藝的發(fā)展動態(tài)、技術前沿以及遇到的挑戰(zhàn)。特征尺寸為45nm的集成電路已批量生產(chǎn)，高K介質/金屬柵層疊結構、應變硅技術已采用。而現(xiàn)有的集成電路工藝教材很少能涉及到這些新技術，為了防止知識陳舊，應多關注集成電路工藝的最新進展，尤其是已經(jīng)投入批量生產(chǎn)的工藝技術，及時將目前主流的工藝技術融入課程教學中。

 

3.2教學方法的改革

 

(1)開發(fā)多媒體工藝教學軟件，利用多媒體技術，將動畫、聲音、圖形、圖像、文字、視頻等進行合理的處理，利用大量二維和三維的多媒體圖片、視頻來展示和講解復雜的工藝構造過程。開發(fā)圖文聲像并茂的微電子工藝多媒體計算機輔助教學軟件，給學生以直觀、清楚的認識，有助于提高教學質量。

 

(2)微電子工藝綜合共享實驗平臺建設，集成電路的制造設備價格昂貴，環(huán)境條件要求苛刻，運轉與維護費用很大，國內僅部分高校擁有集成電路工藝試驗線或部分實驗分析設備。按照有償服務或互惠互利原則共享設備儀器資源，創(chuàng)建各院校之間和與企業(yè)之間的“微電子工藝綜合共享實驗平臺”可極大的提高集成電路工藝及其實驗課程教學效果，即解決了一些院校資金短缺問題，同時也部分補償了大型設備的日常使用和維護費用問題。其綜合共享實驗平臺包括金屬有機化合物MOCVD沉積技術、分子束外延、RF射頻磁控濺射、XPS、XRD及AFM分析測試、光刻、離子注入等涉及投資巨大的儀器設備實驗項目。

 

(3)拓展實踐能力的校企合作，讓學生帶著理論知識走進企業(yè)的真實工程環(huán)境，探索利用企業(yè)先進的工藝線資源進行工藝實驗教學與參觀實習6-9]。參觀實習能夠使學生對集成電路的生產(chǎn)場地,超凈環(huán)境要求具有深刻的感性認識，對單晶硅制造流程、芯片制造工藝過程以及芯片的測試和封裝的了解也更加系統(tǒng)和全面。同時利用假期安排學生去企業(yè)實習，讓學生參與企業(yè)的部分生產(chǎn)環(huán)節(jié)，親身感受實際工藝生產(chǎn)過程，增加學生對企業(yè)的了解，也利于企業(yè)選拔優(yōu)秀學生。

 

(4)工藝視頻與工藝實驗輔助教學，由于微電子工藝內容與生產(chǎn)密切結合，不能單靠抽象的書本知識教學，對于學生無法了解到的一些工藝實驗與設備，可通過錄像教學來補充。本學院購置了清華大學微電子所的集成電路工藝設備錄像與多媒體教學系統(tǒng)，結合國外英文原版的工藝流程視頻,通過工藝視頻把實際工藝流程、設備和設備操作等形象地展示在課堂。多媒體教學系統(tǒng)提供了氧化、擴散和離子注入三項工藝設備操作模擬，可使學生身臨其境地對所學的基本工藝進行簡單的模擬。同時結合課堂教學開設半導體平面工藝實驗，主要包括以：氧化、光刻、擴散、蒸鋁、反刻、劃片、裝架、燒結、封裝。實驗以教師講解與學生動手相結合，既培養(yǎng)了學生的實際動手能力，又使學生掌握了科學分析問題的方法，激發(fā)了學生的學習興趣,加深學生對課堂理論知識的理解。

 

3.3多元化的考核評價體系

 

對學生的考核是對其具體學習成果的度量，也是檢驗教學改革成效的重要手段，為了更科學合理的考核學生，我們建立了多元化的更加注重過程參與的考試評價體系，降低了期末考試在總成績中所占比例，最大限度避免學生靠死記硬背來應付考試和學生創(chuàng)新思維被抑制、高分低能現(xiàn)象產(chǎn)生。這種多元化、過程性的成績評定方法，強調知識的積累與構建過程，消除了學生重理論輕實踐,考前死記硬背應付考試的弊病?？傇u成績由平時成績和期末考試成績兩部分構成。但加大平時成績的權重,平時成績即包括了作業(yè)與考勤，還包括綜合性實驗成績、設計仿真、國外工藝視頻翻譯、專題小論文和專題PPT論壇團隊成績等。同時在期末考題中增加openanswerquestion型、工藝過程設計型題目110-11。

 

4結語

篇4

關鍵詞：接觸式IC卡；檢測技術；現(xiàn)狀；趨勢

中圖分類號：F203 文獻標識碼：A 文章編號：1007-9599（2013）01-0001-03

1 IC卡技術概況

1.1 IC卡的分類

根據(jù)卡中所鑲嵌的集成電路的不同，IC卡可分為：

（1）存儲器卡：卡中的集成電路為電擦除可編程只讀存儲器EEPROM。這種卡的功能大多數(shù)是針對某些特殊的應用的，使用的靈活性受到較大限制，但是價格非常便宜；

（2）邏輯加密卡：卡中的集成電路具有加密邏輯和EEPROM。結構如圖1所示。

（3）CPU卡：卡中的集成電路包括中央處理器CPU、EEPROM、隨機存儲器RAM以及固化在只讀存儲器ROM中的卡片操作系統(tǒng)COS。結構如圖2所示。

嚴格地講，只有CPU卡才是真正的智能卡。

按卡與外界數(shù)據(jù)傳送的方式分，IC卡可分為：

（1）接觸式IC卡：卡上的集成電路通過有形的電極觸點與外部接口設備直接接觸連接，進行數(shù)據(jù)交換；

（2）非接觸式IC卡：它不向外引出觸點，而是通過射頻感應的方式與外部接口設備通信。

1.2 IC卡技術特點

IC卡的技術特點主要體現(xiàn)在芯片的內部存儲容量大小和電路的附加控制功能上。存儲器卡是以EEPROM為核心的，能多次重復使用的IC卡。由于它本身只是一種數(shù)據(jù)存儲介質，不具備硬件邏輯加密功能，但可以對卡內數(shù)據(jù)本身進行加密處理，因此沒有或僅有很少的安全控制功能。

邏輯加密卡是在存儲器卡的基礎上，再增加一部分密碼控制邏輯單元。由于采用密碼控制邏輯來控制對EEPROM存儲器的訪問和改寫，因此它不像存儲器卡那樣可以被任意的復制和改寫。邏輯加密卡的內部存儲空間，根據(jù)不同的應用需要，通?？煞譃橐韵滤膫€功能區(qū)域：

（1）制造商代碼區(qū)，此區(qū)域存儲不可更改的芯片制造商、IC卡制造商及IC卡發(fā)行商等代碼數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)用于識別、跟蹤有關制造商信息及有關用戶的應用情況，為在管理上增強安全性提供了可能；

（2）個人化區(qū)，這是與應用相關的區(qū)域，該區(qū)域中的相關數(shù)據(jù)控制著對該卡片的個人化過程，并對個人化操作提供安全保證，如使用次數(shù)限制、重復使用限制等；

（3）安全區(qū)，用以存放不可讀取的有關安全數(shù)據(jù)，如個人密碼等；

（4）應用區(qū)，用以存儲有關應用數(shù)據(jù)信息。

存儲器中的應用區(qū)域還有兩種不同的實現(xiàn)方法，一種是將相關應用區(qū)域做成計數(shù)器形式，如公用電話預付費卡、停車計費卡等；另一種是存儲器形式，主要用于對數(shù)據(jù)信息的存/取操作，如病歷卡、校園卡等。面向計數(shù)形式的存儲器主要是位操作，而存儲器形式主要是字節(jié)操作。目前國內應用較多的此種IC卡芯片主要有Infineon公司的SLE4442、SLE4428等。

CPU卡芯片內部集成有CPU、ROM、RAM、EEPROM、安全邏輯、密碼運算協(xié)處理器等一系列功能部件，可分為以下三種類型：

（1）普通智能IC芯片：內部設置通用標準部件如CPU、ROM、RAM、EEPROM、簡單的安全邏輯等，并且每一部件的功能也較為簡單。此種IC芯片的安全性適中，價格相對便宜，應用開發(fā)也較為簡單，比較適合于中等安全要求的智能IC卡應用。

（2）增強智能IC芯片：內部除設置通用標準部件外，還設置密碼運算協(xié)處理器（CAU）及增強功能的安全邏輯等，其余部件的功能也有相應增強，其中CAU多支持如DES對稱密碼算法。另外，此種芯片在制造上也采取一些硬件安全保護措施，安全性較高，價格也相對較高，應用開發(fā)較為復雜，比較適合于安全性要求較高的智能lC卡應用。

（3）高級智能IC芯片：內部設置高性能的CAU及安全邏輯等，多支持如RSA非對稱密碼算法。另外，此種芯片在制造上采取較高的硬件安全保護措施，即使很小缺陷的芯片也必須進行登記、銷毀處理?？梢哉J為，這種芯片在軟（管理等）硬（設計、制造）兩方面條件的保證下，具有十分高的安全性、可靠性等技術性能，適用于高安全性的應用領域。

2 IC卡國際標準現(xiàn)狀

1988年，國際標準化組織（ISO）和國際電工委員會（IEC）在信息技術領域創(chuàng)建了聯(lián)合技術委員會（ISO/IECJTCI），作為ISO或IEC成員的國家團體通過該技術委員會參與信息技術國際標準的制定。JTCI由覆蓋信息技術領域的19個分技術委員會組成。分技術委員會 17（SC17）負責識別卡和相關設備方面的標準化工作。隨著識別卡越來越多地成為身份識別的重要手段，SC17于2000之后調整了其工作領域，目前它的標準化范圍包括：

（l）身份識別和相關文件；

（2）卡；

（3）在行業(yè)間及國際交換中應用上述文件和卡時的相關設備。被JTCI采納的國際標準由個國家團體投票，被作為國際標準至少需要得到75%參加投票的國家團體的贊成。

已的國際標準，在今后仍有可能被修訂，因此在使用國際標準時，要注意應用國際標準的最新版本。

目前在IC卡領域主要技術標準有：

（l）ISO/IEC7810《識別卡物理特性》；

規(guī)定識別卡的物理特性，包括卡的材料、構造、特性以及各種規(guī)格卡的尺寸，是所有的卡（包括磁卡、IC卡、光卡等）都應遵循的準則。

（2）ISO/lEC7816系列《識別卡集成電路卡》；

（3）ISO/IEC10536系列《識別卡無觸點的集成電路卡緊藕合卡》；

該系列標準規(guī)定的卡需要貼近讀寫器才能被讀出，目前逐漸退出市場。ISO/IEC10536系列標準在 ISO/IECJTCI/SC17目前處于廢止狀態(tài)，其對應的國家標準GB/T17553系列國家標準也處于收回狀態(tài)。

（4）ISO/IEC14443系列《識別卡無觸點的集成電路卡接近式卡》；

該系列標準規(guī)定的卡與讀寫器的識讀距離最大可達十幾厘米，目前廣泛應用于公共交通、身份識別、門禁等各領域。

（5）ISO/IEC15693系列《識別卡無觸點的集成電路卡鄰近式卡》；

該系列標準規(guī)定的卡與讀寫器的識讀距離可達到100cm，目前廣泛應用于防偽、門禁、電子標簽等各領域。

（6）ISO/IEC10373系列《識別卡測試方法》；

不同IC卡標準之間的關系：

3 接觸式IC卡基本結構

3.1 內部結構

接觸式IC卡的基本構成是依照國際ISO7816提出的ID-l外形尺寸標準，在塑料片基上嵌人集成電路芯片而組成的卡片，示意圖如圖1所示。其中，電路芯片是IC卡的核心部分，一般采用0.35～08μm的CMOS或NMOS工藝制造的超大規(guī)模集成電路。芯片電路中，通常包括接口驅動、邏輯加密電控制、譯碼、存儲器，甚至微處理器（CPU）等各種功能電路， 示意圖如圖3和圖4所示，而芯片的體積控制在2mm×1mm×0.3mm以內。

芯片電路各輸人、輸出信號端口與外部讀卡設備的連接是通過電極模片（一種精密的PCB印刷電路板）來完成。電極模片的外形長為9.62～13.65mm，寬為9.32～11.56mm。形狀一般為矩形或橢圓形。模片外側表面鍍金，并形成6～8個電極，每個電極的中心位置和最小面積均有規(guī)定，但各電極表面分隔形狀沒有規(guī)定。

由集成芯片和電極模片封裝而成的IC卡模塊已經(jīng)可以實現(xiàn)IC卡的基本功能，一般采用PVC、PET或ABS塑料等基片材料依照國際標準作為IC卡模式塊的載體及保護膜，若采用不同的片基，則可以衍生出各種基于IC卡技術的應用系統(tǒng)和產(chǎn)品。

3.2 觸點尺寸和位置

接觸式IC卡（串行數(shù)據(jù)）有8個觸點，其觸點引腳順

序必須嚴格按圖4所示方法排。各觸點表面積最小不得低于2mm×1.7mm，8個觸點共占最小面積不小于寬9.62mm×高9.32mm， 兩相鄰觸點最大間距為0.84mm，各觸點功能見圖5。

3.3 物理特性

符合國際標準的IC卡，主要由國際標準ISO7810～7816等定義，簡述如下：

（l）尺寸：按ID-1型識別卡外形尺寸，即86.5mm×53.98mm×0.76mm。

（2）抗X射線：卡每邊在一年累計受到0.1Gy的X射線照射時，卡片功能不會喪失。

（3）觸點誤差：所有觸點與卡基表面高度差小于0.01mm。

（4）觸點強度：以等效于在Φ1mm的鋼球上施加1.5N力時片不會損壞。

（5）觸點電阻：在兩個短路的觸點間，施加≤300mA直流電，其接觸電阻應≤0.5Ω，在施加4MHz、10mA交流電時，其觸點之間阻抗壓降≤10mV。

（6）抗磁性：卡片在穩(wěn)定的79500A/M磁場下， 不應使芯片喪失功能。

（7）抗靜電：在卡的任何觸點與地之間通過100pF電容和1500Ω電阻對1500V靜電放電時，卡性能不應受到影響。

（8）熱耗：芯片電路功耗應≤2.5W。任何環(huán)境條件下，卡表面溫度不應超過50℃。

（9）抗彎曲、扭曲：在經(jīng)過1000次標準彎曲和扭曲之后，卡片功能應正常，表面無皺起部分。

3.4 接觸式IC卡檢測項目

接觸式IC卡的檢測項目包括卡復位、卡尺寸、觸點的表面輪廓、觸點尺寸和位置、卡翹曲、溫濕度條件下卡尺寸的穩(wěn)定性和翹曲、彎曲韌性、動態(tài)彎曲應力、動態(tài)扭曲應力、觸點電阻、電磁場、靜電、耐化學性、紫外線、剝離強度、粘連或并塊、機械強度、電特性。

4 IC卡應用過程中實施嚴格檢測認證的根本原因

目前銀行磁條卡在全球范圍內廣泛使用，從磁條卡到IC卡的遷移，不僅僅是產(chǎn)品簡單的更新?lián)Q代，更是一次銀行卡技術革命。銀行IC卡不但涉及銀行卡及其受理終端的升級或換代，而且涉及發(fā)卡行、收單行和信息交換系統(tǒng)的升級改造，是一個龐大的系統(tǒng)工程。如何確保在IC卡遷移過程中嚴格執(zhí)行統(tǒng)一的技術標準，是銀行IC卡遷移能否順利實施的關鍵。一個重要手段是通過全面嚴格的測試認證確保卡片、終端和系統(tǒng)等符合相關技術、業(yè)務標準要求，滿足其技術、質量和安全需要。因此，在銀行IC卡應用過程中對IC卡及其受理終端和系統(tǒng)實施嚴格的檢測認證，主要是實現(xiàn)三個目的：一是IC卡及其受理終端的物理特性和電特性等符合技術規(guī)范要求，確保產(chǎn)品質量穩(wěn)定可靠；二是應用功能滿足技術規(guī)范的要求，確保銀行卡IC卡互聯(lián)互通、兼容通用；三是安全性能滿足技術安全要求，確保銀行IC卡的交易安全。

5 國際EMV卡及終端檢測認證的經(jīng)驗

世界各國對銀行卡產(chǎn)品的檢測認證管理均非常嚴格，無論是購買銀行卡產(chǎn)品的銀行還是提供銀行卡產(chǎn)品的企業(yè)均要嚴格執(zhí)行統(tǒng)一的技術標準。而進入銀行卡網(wǎng)絡的產(chǎn)品是否符合統(tǒng)一的技術標準，是由獨立于銀行和企業(yè)以外的第三方對銀行卡產(chǎn)品進行功能檢測和安全評估等一系列檢測認證，以保障銀行卡產(chǎn)品安全可靠和兼容通用。目前由Visa、MasterCard 和JCB等國際組織聯(lián)合開展的EMV產(chǎn)品檢測認證最為成功，在全球的影響也最大。

EMV標準是三個銀行卡國際組織共同制定的技術規(guī)范，EMVCO是這些國際組織為了管理、維護EMV規(guī)范和推廣使用統(tǒng)一的芯片卡而成立的機構，目前有MasterCard，Visa，JCB和American Express 4 家成員組織，均分EMVCO的股權，共同對EMVCO進行運營管理，實施EMV認證、推動EMV遷移。EMV遷移的前提是國際銀行卡組織會員銀行發(fā)行和使用EMV卡及其受理終端機具必須符合統(tǒng)一的EMV標準。EMV產(chǎn)品提供商首先按照EMV標準設計、開發(fā)和生產(chǎn)產(chǎn)品，然后提交EMV 國際授權實驗室根據(jù)EMV標準進行嚴格的檢測。

法國電信、德國FORGA研究所開展的IC卡產(chǎn)品質量檢測方面有比較豐厚的經(jīng)驗，他們對IC卡研制開發(fā)技術的發(fā)展趨勢，IC卡檢測儀器設備都有針對性的研究， 對國外IC卡產(chǎn)品應用情況有比較深入的了解。

法德兩國在開展IC卡產(chǎn)品質量檢驗方面注重實效，IC卡產(chǎn)品檢測內容一般按照以下的原則確定：①按有關標準規(guī)定檢測全部內容；②按有關標準規(guī)定檢測部分內容；③按照產(chǎn)品應用領域的特殊性，參考有關標準規(guī)定檢測的內容對某些檢測項目檢測加嚴條件；④根據(jù)產(chǎn)品應用和新技術發(fā)展的需要，開展有關標準規(guī)定項目以外的檢測內容。

6 接觸式IC卡產(chǎn)品檢測技術的發(fā)展趨勢

在IC卡產(chǎn)品的質量檢測方面，國外通常的做法是，企業(yè)只對產(chǎn)品的某些關鍵的項目進行檢測，多數(shù)檢測項目委托具有專業(yè)資格的檢測中心進行，這樣做可以充分利用現(xiàn)有資源，減少重復建設造成的浪費，達到降低成本的目的。

德國FORGA檢驗所就是一個具有承擔IC卡產(chǎn)品質量檢測能力的綜合性檢測機構， 它的經(jīng)費來源為：政府資助三分之一、會員企業(yè)資助三分之一、自身收入三分之一，會員企業(yè)具有享受產(chǎn)品質量檢測收費優(yōu)惠和共享科技成果的權利，很多做法值得我們借鑒。

隨著IC卡產(chǎn)品所使用的材料、微電子技術的進步，設計工藝和生產(chǎn)工藝的改進，有關IC卡的標準也隨時在修訂，有關IC卡檢測的項目也在改變，一些對IC卡產(chǎn)品質量不再構成影響的檢測項目不需要再進行，一些新的對IC卡產(chǎn)品質量影響較大的檢測項目需要重新開展。因此，開展有關IC卡產(chǎn)品的質量檢測需要不斷跟蹤國際新技術，開展新項目的研究，探索新的檢測方法，建設實用的檢測環(huán)境，添置必要的檢測設備，發(fā)揮IC卡產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)和專業(yè)質檢中心的優(yōu)勢，充分利用各自的資源，是今后IC卡產(chǎn)品質量檢測的總的發(fā)展趨勢。

參考文獻：

[1]IC卡的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢.信息技術研究院.

[2]集成電路卡及集成電路卡讀寫機產(chǎn)品生產(chǎn)許可證實施細則，2011.

[3]非接觸式IC 卡特點描述，http：//smart.ne t/cn/2004/12-8/115925.him.

篇5

電子元器件是元件和器件的總稱。電子元件：指在工廠生產(chǎn)加工時不改變分子成分的成品。如電阻器、電容器、電感器。因為它本身不產(chǎn)生電子，它對電壓、電流無控制和變換作用，所以又稱無源器件。

20xx年1-5月，我國電子信息產(chǎn)業(yè)主要產(chǎn)品產(chǎn)量低速平穩(wěn)增長。受結構調整影響，數(shù)碼相機、打印機、半導體存儲盤、半導體播放器(MP3、MP4)、CRT電視等產(chǎn)品產(chǎn)量連續(xù)4個月出現(xiàn)負增長。根據(jù)工信部提供的數(shù)據(jù)。

主要產(chǎn)品產(chǎn)量情況如下：

電子元器件產(chǎn)量增速較上年同期有較大幅度回落。1-5月，生產(chǎn)集成電路330.6億塊，增長30.5%，比2010年同期增速下降個百分點;半導體分立器件累計產(chǎn)量為1388.89億只，同比增長15.36%，比2010年同期增速下降25.18個百分點。發(fā)光二極管(LED)303.9億只，增長25.0%;液晶顯示模組3.4億套，增長23.2%。5月當月，全行業(yè)集成電路產(chǎn)量為69.75億塊，同比增長24.94%，比2010年同期增速回落29.77個百分點。5月當月，中國半導體分立器件產(chǎn)量為310.4億只，同比增長5.84%，增幅比2010年同期增速下降24.11個百分點。

通信設備行業(yè)生產(chǎn)回升，效益下滑。截止到5月底，全行業(yè)共生產(chǎn)手機41791萬臺，增長15.8%;移動通信基站2884.4萬信道，增長44.4%;程控交換機1194.8萬線，增長23.0%。微型計算機11430萬臺，增長23.9%，其中筆記本電腦增長16.3%，占比達73.8%;

家用視聽行業(yè)生產(chǎn)低速增長。1-5月生產(chǎn)數(shù)碼相機3182萬臺，下降3.4%。彩色電視機4117萬臺，下降1.4%，其中液晶電視增長5.6%，占比達73.4%。

那么，電子元器件項目計劃書格式具體該怎樣呢，請看小編為您解析：

第一部分 總論

一、項目背景

二、項目概況

三、項目可行性與必要性分析

四、融資與財務說明

第二部分 項目單位介紹

一、項目投資方介紹

二、組織架構

三、人力資源配置

第三部分 行業(yè)與市場分析

一、市場環(huán)境分析

二、電子元器件市場消費發(fā)展

三、目標市場分析

四、市場分析小結

第四部分 項目建設規(guī)劃

一、項目建設原則

二、項目規(guī)劃及布局

第五部分 項目運營規(guī)劃

一、經(jīng)營原則

二、市場運營規(guī)劃

第六部分 投資估算

一、投資估算范圍

二、建設投資估算

三、資金籌措與投資回報

第七部分 財務分析與預測

一、基本假設

二、銷售收入估算

三、成本費用估算

四、盈利能力分析

五、不確定性分析

六、財務評價結論

篇6

近年來，印尼積極與各國展開知識產(chǎn)權領域的合作，希望借鑒先進國家的經(jīng)驗，提升印尼在國際上的影響力。如先后與歐洲專利局、日本專利局以及澳大利亞知識產(chǎn)權局等機構簽訂雙邊條約，與澳大利亞合作開展“與澳大利亞政府間有關技術合作的專門訓練計劃”(IASTP)，并積極參加世界知識產(chǎn)權組織(WIPO)、東南亞國家聯(lián)盟(ASEAN)，亞太經(jīng)濟合作組織(APEC)等組織的知識產(chǎn)權論壇。

印度尼西亞知識產(chǎn)權管理機構概況

1、歷史沿革

早在殖民地時期，印尼便已開始向公眾提供知識產(chǎn)權方面的法律服務。1894年1月10日，隸屬于印尼司法部、專門負責商標注冊事務的部門――Hulpbu－reauVoor denInduslrieelenEigendom在巴達維亞(印尼首都雅加達的舊稱)核準注冊了印尼的第一件商標。隨后，遵照有關法令的規(guī)定，司法部的職責范圍延伸至工業(yè)所有權領域。

印尼獨立后，根據(jù)1945年憲法的有關規(guī)定，該機構更名為工藝所有權署(Office of Craft Ownership)。1947年，工藝所有權署遷至蘇臘卡爾塔(即梭羅)，同年10月，再次更名為工業(yè)所有權署(Office of Industry Ownership)。在印尼聯(lián)邦共和國政府時期，工業(yè)所有權署遷至雅加達。根據(jù)1948年出臺的政府條例第60條關于司法部的職權范圍、組織架構、管理及任務與職責的規(guī)定，其下屬的工業(yè)所有權署由商標注冊部(Department ofTrademark Reg－istration)和新收入保護部(Department ofNew Incomes Protection[Octrooi]。)兩個部門組成。

1964年，根據(jù)第4/4/4號司法部長令中有關司法部的職責與機構組成的規(guī)定(后由1965年6月27日頒布的第4/4/24號司法部長令做了進一步補充)，工業(yè)所有權署更名為專利方法局(Directorate of Patent Manner)，同時，增加了制定保護發(fā)明與創(chuàng)作的規(guī)章制度方面的職責。如此，基于司法部長令，印尼專利局當時不僅要處理商標與專利事務，同時還負責版權事務。1966年，內閣主席團頒布了關于部門的組織結構與工作分工的第75(/U/Kep/11/1966)號令，其有關內容規(guī)定，專利事務局由司法與憲法管理總局下屬的專利局取代，下設商標注冊司，專利司和版權司。

1969年，根據(jù)第39號總統(tǒng)令，印尼組建了司法總局。經(jīng)過這次調整，司法與憲法管理總局正式分家，成立司法管理總局與法律恢復總局，專利局包括在法律恢復總局之中。此后，歷經(jīng)數(shù)次機構改革和調整，專利局于1975年改為專利與版權局，轉屬法律與憲法總局，下設管理部、商標分局，專利分局、版權分局、商法與工業(yè)分局、執(zhí)照與公告登記分局等部門。

1988年，根據(jù)第32號總統(tǒng)令，專利與版權局從法律與憲法總局中獨立出來，升格為版權，專利與商標總局，下設總局秘書處，版權局、專利局和商標局。隨后，1998年第144號總統(tǒng)令，將版權、專利與商標總局更名為知識產(chǎn)權總局。與此同時，依照1999年第M.03.PR.07.10號司法部長令，對知識產(chǎn)權總局的組織機構也進行了擴大和重新命名，下設總局秘書處、版權、集成電路布圖與工業(yè)產(chǎn)品設計局、商標與商業(yè)秘密局、專利局、合作與知識產(chǎn)權信息發(fā)展局等部門。

此后，知識產(chǎn)權管理機構的設置基本變化不大，只是稍有調整。目前，隸屬于法律和人權事務部的印尼知識產(chǎn)權總局(DGIPR)負責管理所有與知識產(chǎn)權相關的審批和行政管理事務，下設總局秘書處、版權、工業(yè)品外觀設計、集成電路布圖設計與商業(yè)秘密局，專利局、商標局，合作與發(fā)展局、信息技術局等部門。

2、機構職能和發(fā)展目標

印尼知識產(chǎn)權總局的職能是實施知識產(chǎn)權制度，對創(chuàng)造活動(創(chuàng)造力)給予保護。獎勵和重視，促進以技術和知識為基礎的投資和經(jīng)濟成長，營造鼓勵創(chuàng)新與發(fā)明的文化氛圍。其目標為

建設支撐國家發(fā)展的、高效且具有國際競爭力的知識產(chǎn)權體系。

3、組織機構和人員狀況

截至2008年4月，印尼知識產(chǎn)權總局的雇員總數(shù)為512人。其中，總局秘書處105人，專利局128人(其中審查員為75人)，版權，外觀設計、集成電路布圖設計和商業(yè)秘密局63人，商標局145人(其中審查員為48人)，合作與發(fā)展局35人，信息技術局36人。

印尼知識產(chǎn)權法律法規(guī)

印度尼西亞共和國是WIPO與WTO的成員國，也是《海牙協(xié)定》《保護工業(yè)產(chǎn)權巴黎公約》《保護文學和藝術作品伯爾尼公約》《專利合作條約》《商標法條約》《世界知識產(chǎn)權組織版權條約》和《世界知識產(chǎn)權組織表演和錄音制品條約》等公約或條約的締約方。依照這些國際組織或條約成員方必須承擔的國際義務，同時，出于保持商業(yè)、技術，工業(yè)等急速發(fā)展的國內現(xiàn)狀，印尼近年來對本國的知識產(chǎn)權法律、法規(guī)和政策進行了一系列的修改與完善。目前，印尼現(xiàn)行的知識產(chǎn)權相關法律法規(guī)主要包括

2001年《印度尼西亞共和國專利法》(N0.14)

2001年《印度尼西亞共和國商標法》(NO.15)

2002年《印度尼西亞共和國著作權法》(NO.19)

2000年《印度尼西亞共和國外觀設計法》(NO.31)

2000年《印度尼西亞共和國集成電路布圖設計法》(NO.32)

2000年《印度尼西亞共和國商業(yè)秘密法》(NO.30)

2000年《印度尼西亞共和國植物品種法》(NO.29)

1995年《印度尼西亞共和國反不正當競爭法》(NO.15)

1、《印度尼西亞共和國專利法》

現(xiàn)行的印尼專利法為2001年頒布的第14號法律。其中，規(guī)定專利申請應自申請之日起1 8個月內公開，公開時間為6個月，申請人提出審查請求之后36個月之內結案，不服駁回的可在3個月內提出復審請求。印尼專利法要求發(fā)明人在印尼實施新產(chǎn)品生產(chǎn)后方能申請專利。專利的保護期限為自申請日起20年，小專利(印尼無實用新型專利)的保護期限為自申請日起10年，兩種專利均不得續(xù)展?，F(xiàn)行專利法規(guī)定，涉及以下內容的發(fā)明不得授予專利權①違反法律法規(guī)、宗教道德、公共秩序和倫理，②人和/或動物的檢查治療、治療方法，③科學和數(shù)學理論、方法以及除微生物外的活體生

物，④動植物培育過程中不可或缺的生物方法。

此外，印尼專利法還規(guī)定，在規(guī)定期限內不繳納專利費用的取消專利資格。有關專利的訴訟案件必須在案件提交之后的1 80個工作日之內結案。侵犯他人專利權者最高可處4年監(jiān)禁和/或5億印尼盾的罰金。侵犯小專利者則最高可處2年刑期及/或2.5億印尼盾的罰金。

2、《印度尼西亞共和國商標法》

印尼現(xiàn)行的商標法規(guī)定，商標應為由圖畫、名稱、單詞、文字、數(shù)字、顏色組成或合成的標記，徽章。印尼規(guī)定非印尼語的商標必須同時提交印尼語的讀音。商標申請?zhí)岢鲋蟮牡?4日起至6個月為公示期，期間任何人均可提出異議。公示結束后9個月內結束實審。對不授權決定不服者可在3個月內提出復審請求。印尼賦予商標的保護期限為自申請日起10年，期滿可以續(xù)展。印尼商標法對原產(chǎn)地名稱給予保護。此外還規(guī)定，注冊后的商標如不使用的時間達到3年，將取消其商標的注冊資格。

印尼商標法就商標侵權及其處罰做了詳細規(guī)定，如在相同產(chǎn)品、服務或制造領域使用與某注冊商標整體類似或與某注冊商標的構成要素部分類似的標志，最高可對侵權人處以5年監(jiān)禁及/或10億印尼盾的罰金，在同類注冊商品上使用與他人地理標志實質類似的商標可處以最高4年及/或8億印尼盾罰金，使用可能欺騙或誤導公眾相關商品或服務來源的原產(chǎn)地名稱標記者可處以最高4年的監(jiān)禁及/或最高8億印尼盾。

3、《印度尼西亞共和國著作權法》

印尼現(xiàn)行的著作權法是2002年通過的第19號法，于2003年6月29日開始生效。該法與舊法最大的不同之處，在于將“數(shù)據(jù)庫”這一新興事物涵蓋于版權保護范圍之內，從新法實施之日起，數(shù)據(jù)庫在印尼可以依照版權法的規(guī)定受到法律保護。印尼著作權法對數(shù)據(jù)庫的定義為

以任意形式編輯、任何可以由機器或計算機讀取、但必須是經(jīng)由智力創(chuàng)造行為加以選擇與整理的數(shù)據(jù)形式。數(shù)據(jù)庫必須具備獨創(chuàng)性或創(chuàng)造性。這意味著僅僅是將大量的數(shù)據(jù)集中在一起并不能受到法律保護。

此次的新法未將間接侵權、網(wǎng)絡侵權和平行進口等版權保護領域的重要事項列入。這意味著在印尼，不會追究間接侵權和網(wǎng)絡侵權者的責任。另外，可以認為平行進口在印尼是合法行為。

印尼法律規(guī)定，非法復制或發(fā)行著作權產(chǎn)品者的最低監(jiān)禁期為1個月，最長則為7年，罰金最低限為100萬印尼盾，上限為50億印尼盾。此外，非法傳播、展覽侵權產(chǎn)品者的處罰為最高5年的監(jiān)禁及/或5億印尼盾的罰金。

4、《印度尼西亞共和國外觀設計法》

印尼現(xiàn)行的外觀設計法簽署于2000年12月20日。一般認為，印尼的外觀設計法非常簡單并且存在很大程度的不公平。在印尼，外觀設計專利的門檻相當?shù)?，一個產(chǎn)品只要在公開期內無異議提出，則無需經(jīng)過實審即可獲得專利權。假如出現(xiàn)異議，只需將新產(chǎn)品與異議產(chǎn)品對照，或由申請人提出新的產(chǎn)品，即可授予專利權。外觀設計的保護期為10年。

另一方面，印尼給予申請撤銷某個外觀設計的專利資格的期限是全世界最長的。印尼外觀設計法規(guī)定，撤銷外觀設計專利權的申請應由申請人向商業(yè)法庭提出訴訟，商業(yè)法庭必須在120天之內做出判決。如果對商業(yè)法庭的判決不服，可向最高法院提出上訴，最高法院則必須在90天之內做出最終判決。這意味著在印尼撤銷一項外觀設計專利權的時間最長可達210天。

侵犯外觀設計者的刑罰為最長4年的監(jiān)禁及/或3億印尼盾的罰金。

5、《印度尼西亞共和國集成電路布圖設計法》

印尼的集成電路布圖設計法于2000年生效，該法規(guī)定，布圖設計必須具備獨創(chuàng)性，且必須是設計人(或小組)自己的智力成果。布圖必須具備能動性、電路中每一部分必須與總體相連以及設計目的明確等要素，且在設計當時和在布圖設計人或集成電路制造商群體中不具有普通性。布圖設計不得違反現(xiàn)行法律、公共秩序與公共道德。該法規(guī)定，如果布圖設計已經(jīng)用于商業(yè)目的，提出申請之日不得晚于最初實施之后的兩年。印尼對集成電路布圖設計采取登記制，保護期限為10年。該法同時規(guī)定，如果是出于調查、研究、教育等非商業(yè)目的。在不侵犯專利權人權益的前提下，他人可以使用該布圖設計。當出現(xiàn)布圖設計權利被撤銷的情況時，若所有權人與他人簽署了實施授權協(xié)定，被授權者有權繼續(xù)自己的實施行為，直至雙方協(xié)定中所約定的期限到期。集成電路布圖設計權可通過繼承、贈送、遺言、書面契約或其他不違反法律規(guī)定的行為獲得。侵害他人集成電路布圖設計權利者最高可判處3年監(jiān)禁及/或3億印尼盾的罰金。

6、《印度尼西亞共和國商業(yè)秘密法》

篇7

第一章：自我認知

做好一份職業(yè)生涯規(guī)劃首先要對自己有一個充分的認識和了解。所謂“知己知彼，百戰(zhàn)不殆”，只有自己才是最了解自己的，最對自己有發(fā)言權的人，謀定而后動，才能更好的做好每一件事。下面我分別通過人才評估測試結果、親朋好友的評價及自我的認識從三個方面分別闡述說明。

職業(yè)興趣類型：

類型名稱得分類型解釋

現(xiàn)實型9分感覺遲鈍、不講究、謙遜、踏實穩(wěn)重、誠實可靠。

常規(guī)型8分有責任心、依賴性強、高效率、穩(wěn)重踏實、細致、有耐心。

企業(yè)型7分善辯、精力旺盛、獨斷、樂觀自信、好交際、有支配愿望。

社會型7分為人友好、熱情活躍、善解人意、外向直接、且樂于助人。

探索型5分堅持性強、有韌性、喜歡鉆研、為人好奇、獨立性強。

藝術型3分有創(chuàng)造性、非傳統(tǒng)的、敏感、易情緒化、較沖動、不服從指揮。

職業(yè)興趣類型結構為：

職業(yè)傾向：

喜歡使用工具機器，需要基本操作技能的工作。要求具備機械方面才能、體力或從事與物件機器、工具、運動器材、植物、動物相關的職業(yè)有興趣，并具備相應能力。如技術性職業(yè)（計算機硬件人員、攝影師、制圖員、機械裝配工），技能性職業(yè)（木匠、廚師、技工、修理工、農民、一般勞動）。

性格與職業(yè)特征：

1. 做事手腳靈活，動作敏捷，具有較強的動手能力。

2. 喜歡戶外活動與使用工具。通常喜歡與機械和工具打交道，而不愿與人打交道。

3. 在自我表達和向他人表達情感方面稍感困難，不擅長與人交際，思想較保守。

職業(yè)價值觀評測：

我的職業(yè)價值觀評測報告結果顯示我的主導職業(yè)為生活型、輔導職業(yè)為自主、獨立型。

職業(yè)與性格評測：

我的性格維度：

最佳表現(xiàn)

我喜歡組織人和事，然后和別人一起去準確而準時地完成任務。我盡責和忠心，即使是小事也會有始有終， 而我希望別人也一樣。我注重安全感和穩(wěn)定性，善于社交并且外向，我喜歡慶典和傳統(tǒng)，并且把個人的關心帶到工作和家庭里。我希望別人欣賞您和您為別人所付出的一切。

性格特征

我是熱情、有同情心和樂 于助人的；風度不凡、合作和有技巧的。講求實際、注重現(xiàn)實和腳踏實地的；當機立斷、做事徹底、始終如一的。我能夠敏銳地察覺到您周圍的人的需要，善于提供實際的關懷。

性格認定：

我是一個能夠吃苦耐勞，傾外型，熱情開朗，充滿自信，積極，樂觀，喜歡交朋友，擁有冷靜沉著的頭腦，處事理性；為人誠懇正直，責任心強；比較踏實，能吃苦耐勞，對認定的目標有絕對熱情的一個人。

親朋好友的評價：

做事計劃得當、準備充分、敢想敢做、有創(chuàng)新精神，有拼勁、適應環(huán)境和再學習的能力較強，為人誠懇正直，責任心強；踏實。

小結：

“知己知彼方能百戰(zhàn)不殆”。 以上角度的分析還是有很多重合點的，從上述結論中可以看出，我是一個從小有確定志向，性格外向，容易交流，比較踏實的一個人當機立斷、做事徹底、始終如一的。

第二章：職場測評

家庭背景：

我是來自農村的一名的大學生，父親和母親都是農民，家庭經(jīng)濟也比較困難，也成就了我腳踏實地、不怕吃苦的性格。

由于來自農村，父母都是農村人，當前他們?yōu)槲业膶W業(yè)奔波勞累，用辛苦掙來的錢供養(yǎng)我上學，可是他們不是有工資收入的人，就談不上所謂的養(yǎng)老問題，等他們年老的時候就需要我去贍養(yǎng)，這是我義不容辭的責任。能夠贍養(yǎng)父母是我的心愿，所以自己有個穩(wěn)定的收入就變得非常重要了，有個穩(wěn)定的工作有個固定的工作單位，不需要像其他工作那樣奔波，沒有固定的場所。這對于我來說是很重要的。

學校環(huán)境分析：

福建農林大學金山學院是經(jīng)教育部批準成立的全日制本科層次獨立學院。學院坐落于風景秀麗的烏龍江畔，與福建農林大學毗鄰而居，占地720畝，建筑面積21萬平方米。地理位置得天獨厚，校園風光優(yōu)美，教學設施齊全，學生宿舍條件優(yōu)越。學生不僅可以共享福建農林大學優(yōu)美清幽的綠色校園，而且耳濡目染的是擁有70多年歷史老校嚴謹求實的校風。

學院依托福建農林大學的優(yōu)質教育資源辦學，秉承面向市場和社會需求的開放辦學理念，根據(jù)現(xiàn)代科學技術發(fā)展趨勢和社會發(fā)展需求設置專業(yè)，現(xiàn)有6個系，27個專業(yè)，涵蓋理、工、農、經(jīng)、管、文6大學科門類。

辦學四年來，學院始終堅持社會主義辦學方向，全面貫徹黨的教育方針，在學院董事會的領導下，全院教職員工開拓創(chuàng)新、扎實工作，辦學規(guī)模、結構、質量協(xié)調發(fā)展，取得了顯著成就。學院現(xiàn)有在校生7000多人，首屆畢業(yè)生初次就業(yè)率達91.38%，社會各界對學院的認可度不斷提高。

專業(yè)知識分析：

電子科學與技術是培養(yǎng)掌握電子科學與技術的基本理論和基本知識，具備較強的本專業(yè)領域的實驗能力、計算機應用能力和工程實踐能力，具有一定的科學研究、創(chuàng)新、開發(fā)和工程應用能力的高級專門人才

主要課程：數(shù)字電子技術、高頻電子線路、信號處理理論、嵌入式系統(tǒng)原理與設計、數(shù)字信號處理、光電子學原理與應用、電力電子功率器件與技術、信息顯示技術、光伏發(fā)電原理與應用、傳感器原理及應用、通訊原理與技術、可編程邏輯器件應用等。

畢業(yè)生適宜在光電通信技術、傳感技術、光伏發(fā)電技術、信息電子等領域內從事各種電子信息材料、信息技術、集成電路及集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)的設計、制造和相應新產(chǎn)品、新技術、新工藝的研究、開發(fā)等方面工作。

據(jù)介紹，在我國城鎮(zhèn)登記失業(yè)人員中，35歲以下的青年人比例為70%。20世紀80年代出生的接受高等教育的青年，以每年300萬至400萬的規(guī)模進入就業(yè)市場。根據(jù)各級學校招生人數(shù)的統(tǒng)計預測，2008年以后，高中以上學歷的勞動力開始成為勞動力市場的主體。到2011年，大學層次畢業(yè)生數(shù)量將達到峰值，約758萬人，未來相當長的時間內大學生就業(yè)壓力不會減弱

“08年經(jīng)濟危機噬虐之時，我的大學之路走到了盡頭。大學不再是躲避求職的港灣，那一年畢業(yè)即代表了失業(yè)?！?/p>

濟某高校的小馬回憶說。

“09年大學畢業(yè)，經(jīng)濟危機余波意猶未盡，正巧我保送了本校的研究生，可以躲避一下嚴峻的就業(yè)形勢，等待三年后再尋找就業(yè)機會?！?/p>

北京某高校小蘇平靜地說

“10年經(jīng)濟形勢有了很大的轉變，招聘單位增加了許多，這一年找工作我有信心?！?/p>

四川某高校小孫說

教育部部長袁貴仁在2010年全國普通高校畢業(yè)生就業(yè)工作視頻會議上直言：國際金融危機對我國就業(yè)的不利影響還沒有消除，如果說09年是經(jīng)濟最困難的一年，10年可能是最復雜的一年，整個宏觀層面就業(yè)形勢就很嚴峻。那么，10年的畢業(yè)生人數(shù)630萬，再加上往屆沒有實現(xiàn)就業(yè)的，需要就業(yè)的畢業(yè)生數(shù)量有可能達到700萬之多。

電子科學與技術-現(xiàn)狀與趨勢

1.微電子技術相關行業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢微電子技術相關行業(yè)主要是集成電路行業(yè)和半導體制造行業(yè)，它們既是技術密集型產(chǎn)業(yè)，又是投資密集型產(chǎn)業(yè)，是電子工業(yè)中的重工業(yè)。與集成電路應用相關的主要行業(yè)有：計算機及其外設、家用電器 、通信器材、工業(yè)自動化設備

（1）國內概況

中國內地，集成電路起步于1965年。但在之后30年間發(fā)展緩慢，與世界發(fā)達國家和地區(qū)的差距愈拉愈遠。到了“九五”計劃期間，國家加大投資，才拉開了新世紀中國內地加速發(fā)展微電子產(chǎn)業(yè)的序幕。通過啟動“909工程”，成功建成25條芯片制造線。中國集成電路市場持續(xù)快速增長。2003年中國集成電路產(chǎn)量為96.3億塊，產(chǎn)值達到1470億元，比2002年增長22.5%。巨大的市場吸引國際知名集成電路企業(yè)紛紛來華投資。

（3）發(fā)展趨勢

1975年摩爾提出了關于集成電路集成度發(fā)展的“摩爾定律”，這個定律說，集成度（即電路芯片的電子器件數(shù)）每18個月翻一番，而價格保持不變甚至下降。幾十年的發(fā)展狀況基本上符合了這個定律。由此可見這一領域發(fā)展速度之快，競爭之激烈。

2.光電子技術相關行業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢

電子行業(yè)的五大類產(chǎn)業(yè)格局：光電子材料 （光電子材料）與元件產(chǎn)業(yè)、光信息（資訊）產(chǎn)業(yè)、傳統(tǒng)光學 （光學器材）產(chǎn)業(yè)、光通信產(chǎn)業(yè)、激光器（能量）產(chǎn)業(yè)。

（1）國內概況

近20多年來，隨著中國大陸的改革開放，使中國內地的激光、光電子科學事業(yè)的發(fā)展立足創(chuàng)新、面向市場，取得了前所未有的進步。 “863計劃”七大領域中有激光技術和光電子技術（包括用于信息領域的激光技術），1995年又增列了“慣性約束聚變”（高功率激光及激光核聚變）項目。國防預研光電技術作為跨部門項目正式立項。國家“六五”和“七五”攻關計劃，激光、光電子技術被列為重大項目。

（2）發(fā)展趨勢

光電子產(chǎn)業(yè)是21世紀的支柱產(chǎn)業(yè)之一。國家發(fā)展委員會從2002年開始組織實施光電子產(chǎn)業(yè)化專項，擬分3年實施。光電子專項產(chǎn)業(yè)化目標是：①根據(jù)中國在光電子研究開發(fā)方面所具有的技術優(yōu)勢和資源特點，重點支持一批技術水平高、市場前景好的光電子產(chǎn)品

電子科學與技術-社會需求

根據(jù)前面對國內外電子科學與技術行業(yè)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢分析，美國、西歐、日本、韓國、臺灣地區(qū)的電子科學與技術產(chǎn)業(yè)已經(jīng)步入上升軌道。中國隨著市場開放和外資的不斷涌入，電子科學與技術產(chǎn)業(yè)開始煥發(fā)活力。中國“十一五”規(guī)劃的建議書將信息產(chǎn)業(yè)列入重點扶植產(chǎn)業(yè)之一，中國軍事和航天事業(yè)的蓬勃發(fā)展也必然帶動電子科學與技術行業(yè)的發(fā)展和內需。中國電子科學與技術產(chǎn)業(yè)將有一個明顯的發(fā)展空間，高科技含量的自主研發(fā)的產(chǎn)品將進入市場，形成自主研發(fā)和來料加工共存的局面；中國大、中、小企業(yè)的分布和產(chǎn)品結構趨于合理，出口產(chǎn)品將穩(wěn)步增加；高技術含量產(chǎn)品將向民用化發(fā)展，必然促進產(chǎn)品的內需和產(chǎn)量。隨著社會需求會逐步擴大，電子科學與技術專業(yè)總體就業(yè)前景看好。

第三章：職業(yè)定位

我的優(yōu)勢（strength）及其使用自身因素（內）外界因素（外）能夠與人良好地溝通，建立較好的人際關系； 責任心強。

1、擁有扎實的專業(yè)知識 2、人生態(tài)度樂觀積極，充滿自信 3、責任心強，為人誠懇正直 4、擁有冷靜沉著的頭腦，處事 5、理性熱情開朗，能較好地與人溝通1、行業(yè)發(fā)展迅速，人員需求大 2、福建是發(fā)展海西的重點省份 3、校方與企業(yè)有調研、合作關系 4學校的師資力量雄厚、注重學生的全面發(fā)展

我的弱勢（weakness）及其彌補1、專業(yè)相關的社會經(jīng)驗不足 2、沒有工作經(jīng)驗，為人處事并不是太成熟。 3、英語比較差，尤其是口語發(fā)達能力比較差。1、 行業(yè)的就業(yè)壓力還是很大的 2、 技術人員的競爭力很大積極參加社會活動，多積累社會經(jīng)驗； 花更多的時間學習英語，提高英語水平。

我的機會（opportunity）及其利用1擔任學生干部，更易被企業(yè)看中 2我們不斷進行各種實習與深造，鍛煉（認識實習，生產(chǎn)實習，各種大學生職業(yè)規(guī)劃大賽等）。1、學校、學院內有資深的就業(yè)指導老師做指導 2、就業(yè)靈活抓住機會，利用機會； 機遇是給有準備的人的，我們必須做好一切準備，迎接機遇的到來。

我面臨的威脅（threat）及其制約1、人才多，競爭大人際關系網(wǎng)絡薄弱 2、技術類的要求不斷的更新知識 ，各類人才太多，特別是名牌大學的學生理論知識深厚。1、 現(xiàn)在缺乏個人核心競爭力 2、 沒有更多的實踐機會擁有更多的人際關系； 提高自身的綜合素質； 提高自己的知識面。

第四章：目標實施

高級工程師

高級技師

技術員

完成學業(yè)

職業(yè)生涯規(guī)劃設計：

在自我認知和職業(yè)認知的基礎上，根據(jù)職業(yè)需要及SWOT分析，制定具體規(guī)劃，縮小與目標職位的差距，從而解決人職之間的矛盾。確定自己的內部發(fā)展。圍繞可能的職業(yè)發(fā)展道路，我對未來十年作初步規(guī)劃如下：

1、在校期間（ 近期職業(yè)目標）：這是學業(yè)成就期，要充分利用校園環(huán)境及其條件優(yōu)勢，認真學好專業(yè)知識，培養(yǎng)學習、工作、生活能力，積極參加實踐活動，珍惜實習機會，全面提高個人的綜合素質，并做好就業(yè)的準備。

2、畢業(yè)3-4年（職業(yè)適應期）：從校園到社會，從學習到工作，這是一個過渡期，在這三四年的時間里，要經(jīng)過不斷的嘗試和努力，初步找到適合自己發(fā)展的工作環(huán)境、崗位。并為自己進一步的提升打下良好的基礎。

3、畢業(yè)9-10年（職業(yè)奮斗期）：這一時期將是自己職業(yè)生涯奮斗的黃金時期，全身心地投入到工作中，只為自己的目標--高級計師、高級工程師而奮斗。

短期目標：完成大學的學習，畢業(yè)后成功就業(yè)

時間：**至**年

主線： 學習專業(yè)知識，提高自身綜合素質

大學四年階段規(guī)劃

1、大學一、二年級（試探期）：

進入大學后通過學校組織參、工廠企業(yè)、專業(yè)知識講座，接觸社會人，通過了解畢業(yè)了的師兄師姐的工作等途徑初步了解職業(yè)。并通過參加各種培訓班、選修課等形式的學習提高自己的文化修養(yǎng)；通過參加各種社團活動和學生會活動來提高自己的人際溝通能力、擴大人際關系網(wǎng)、增加自己的信息來源；通過組織各種活動提高自己的組織策劃能力；通過做學生干部多與老師、領導接觸擴充自己的知名度。

2、大學二年級（ 定向期）：

加強專業(yè)知識的學習，對個別領域（涂料）深入地進行了解、認識。了解企業(yè)的用人要求，并通過各種途徑提高自己的能力條件，為自己的就業(yè)增加砝碼。從事兼職、社會實踐活動，在課余時間里從事于自己專業(yè)有關的專業(yè)類工作，和專業(yè)性的知識技能比賽等，檢驗自己的知識技能；同時注意提高自身的基本素質和職業(yè)素質，提高自己的責任感、主動性和受挫能力。

3、大學三年（實踐期）：

由于我的專業(yè)--電子科學技術專業(yè)是。第四年下學期，就到工廠企業(yè)里進行實習。所以這一年要充分提高自己的操作技能，積累經(jīng)驗，鍛煉自己獨立在實際生產(chǎn)過程中解決問題的能力和創(chuàng)造性；在平時，學習寫簡歷、求職信，了解搜集工作信息，嘗試和企業(yè)單位聯(lián)系，開始畢業(yè)前工作的申請，積極參加招聘活動，在實踐中檢驗自己的積累和準備；積極利用學校提供的條件，了解就業(yè)指導中心的用人公司資料信息、強化求職技巧，為畢業(yè)前找到工作做好準備。

因為長遠計劃有很多不確定性，所以我更注重短期計劃！

①、這個時期就可以做一些發(fā)揮自己潛能和特長的工作，畢竟在初期已經(jīng)積累了部分經(jīng)驗，應該到“用武”的時候了。我本身學的是電子科學技術專業(yè)，我會在光電研發(fā)和生產(chǎn)的公司就業(yè)。這樣可以把自己的才能發(fā)揮出來了，所謂養(yǎng)兵千日，用在一時。此時如果不抓住機會，以后再想抓住就難了。

②、婚姻家庭：準備成家，做好一切準備心里。如果沒有一個幸福的小家就很難在一個社會大家庭中立足，俗話說，“一個成功的男人背后總有一個女人的支持”。這個時期是非常重要的承上啟下的過渡時期。

一個車間中有很多名技術員，但要從技術員提升到車間主管是比較少的機會的，那么要成功地從一名技術員提升到車間主管就必須付出比別人更多的努力。雖然這一計劃比較長遠，有比較多的不可預測因素，但我還是會根據(jù)我的目標一步一步前進的

第五章 評估調整篇

1、職業(yè)目標評估

我會時刻關注我們電子這行，以及光電，微電子，通信方面，編程等方面，這些跟我專業(yè)相關的行業(yè)，以便更好的重新選擇職業(yè)。

2、職業(yè)路徑評估

依據(jù)國家法律法規(guī)，以及各項政策，時展方向，適時調整自己的發(fā)展方向。

3、實施策略評估

根據(jù)自己的能力及要求，采取有效可行的策略，達到想要的那種效果

4、其它因素評估

根據(jù)自身身體、家庭、經(jīng)濟以及社會狀況，和一些機遇、意外等特殊情況來適時調整變更。

我每一年審查計劃完成情況，當出現(xiàn)特殊情況我會適時調整，做的更好。

以服務人民，與時俱進，開拓創(chuàng)新，實事求是，積極進取的原則適時調整適合自己的職業(yè)以及調整制定切實可行，易掌握的規(guī)劃。

總結

職業(yè)規(guī)劃是做好了，但離人生目標還是很遠，更重要的是我們要付之與行動，并且取得成功，達到我們最終的目的。然而現(xiàn)實是變幻莫測的，事事都難以預料，我們必須做好心理準備，在遇到突發(fā)因素、不良影響時，要注意保持清醒冷靜的頭腦，不僅要及時面對、分析所遇問題，更應快速果斷的拿出應對方案，對所發(fā)生的事情，能挽救的盡量挽救，不能挽救的要積極采取措施，爭取做出最好矯正。只有這樣我們才能更好的去面對人生。

篇8

【關鍵詞】西牛頭電站；運行狀況；技術改造

1、西牛頭電站概況

西牛頭電站位于廣西岑溪市義昌江河段，是壩后式水電站，距市中心3KM，建于1993年。采用貫流式水輪機，裝機容量為3×320KW，設計水頭為4m，設計流量3×10.5m3/s，年平均發(fā)電量427.5萬度，年利用小時數(shù)4451小時。水庫庫容68.2萬m3，集雨面積1153平方公里。

2、承擔的任務

西牛頭電站的首要任務是防洪。由于電站位于市區(qū)，肩負著全市人民生命和財產(chǎn)的安全，發(fā)揮著不可估量的社會效益。所以，洪水期間，必須保持排洪暢通，確保安全度汛。

西牛頭電站的另一個任務是發(fā)電。由于電站是企業(yè)，自負盈虧，現(xiàn)有職工幾十人，必須發(fā)揮經(jīng)濟效益，確保安全生產(chǎn)。

3、機組設備運行狀況

機組設備陣舊落后，有功出力不足；勵磁老化，無功不穩(wěn)定，經(jīng)常失控。

（1）正常情況下，#1發(fā)電機組單機并網(wǎng)運行時最大出力為280KW，三臺機同時并網(wǎng)運行時，最大出力為200KW；#2發(fā)電機組單機并網(wǎng)運行時最大出力為300KW，三臺機同時并網(wǎng)運行時，最大出力為220KW；#3發(fā)電機組單機并網(wǎng)運行時最大出力為300KW；三臺機同時并網(wǎng)運行時，最大出力為230KW，遠遠小于設計裝機容量。

（2）2012年12月18日，#1發(fā)電機組單機帶250KW負荷并網(wǎng)運行，突然間受到?jīng)_擊，所有表計激烈震蕩，斷路器跳閘，卻沒有自動滅磁。手動滅磁后經(jīng)檢查正常，重新并網(wǎng)運行，然而當無功加到100KVA時，勵磁失調，開始以為是勵磁調節(jié)電位器失靈，但更換電位器后仍然是這種現(xiàn)象，檢查勵磁也沒發(fā)現(xiàn)損壞元件，只是發(fā)現(xiàn)整流和脈沖集成電路板的連線和接點有些許松動，經(jīng)焊接加固后，這種現(xiàn)象也沒消除，仍有時會勵磁失調。

（3）2014年1月5日，正常操作開啟#2機組，起勵建壓，并網(wǎng)運行，當有功加到100KW時，有功表讀數(shù)不再上升，調整無功功率，無功表讀數(shù)為60時，功率因數(shù)為0.9，勵磁電流150A，接近額定電流，增大導水葉開度以增加有功負荷，此時有功表讀數(shù)仍為100不變，但機端電流增大，勵磁電流過流，無功無法調整。初步判斷為勵磁問題，便對勵磁系統(tǒng)進行全面檢查，快速熔斷器、可控硅、續(xù)流二極管均完好無損，主控回路沒問題，于是又對整流和脈沖回路進行詳細的檢查，從整流變壓器、脈沖變壓器到二極管、三極管、穩(wěn)壓管、電阻、電容等一一進行檢測，整流電壓、脈沖電壓正常，均未發(fā)現(xiàn)異常，百思不得其解，至今仍未徹底解決這一問題。

（4）2014年2月27日，開#3機組，起勵時無法建壓，電壓起但不能穩(wěn)定，勵磁失控。經(jīng)檢查發(fā)現(xiàn)，整流回路有一穩(wěn)壓管燒壞，更換后重新起勵，但仍無法建壓。再次檢查，發(fā)現(xiàn)C相整流變壓器S4端出線點松脫，形成虛焊，造成缺相，勵磁調節(jié)電位器也有一根線脫落，重新焊接后起勵，建壓成功，運行正常。

4、大壩金屬結構運行狀況

（1）液壓閘門

由于義昌江市區(qū)河段雜物多，污染嚴重，閘門面板嚴重銹蝕，部分已穿孔漏水；導軌、導向輪、定位輪、止水膠等變形，閘門重量變輕，關閉不嚴，漏水嚴重。另一方面，液壓系統(tǒng)也存在許多問題，液壓桿伸縮不平衡，常導致閘門上下不平衡；液壓油封容易老化、變形和斷裂，經(jīng)常漏油，嚴重時無法開啟閘門。2010年6月15日，正值主汛期，7#泄洪閘在提升過程中，突然油管破裂，油噴射而出，“轟”的一聲巨響，閘門掉下來，非常危險，嚴重影響泄洪，幸好其它閘門能正常運行，未造成重大損失。

（2）前池攔污柵

攔污柵銹蝕嚴重，2009年6月，#1、#2、#3攔污柵主梁已嚴重彎曲變形，經(jīng)加固后使用至今，洪水期間，若雜物多，壓力大，隨時可能損壞，雜物越過攔污柵，進入轉輪，機組無法正常運行，影響安全生產(chǎn)。

5、原因及危害分析

（1）機組出力不足有多方原因，主要決定于水輪機的流量、水頭和機組的效率，而機組的效率設備出廠后已基本確定。作為水電站應從流量、水頭的因素進行綜合考慮，其中流量的損失產(chǎn)要是閘門的漏水。前池泥沙淤積嚴重，庫容越來越小，流量和水頭也在漫漫的減小；尾水和下游受阻，排水不暢，也是影響出力的另一個因素。

（2）勵磁失控的原因，就目前三臺機組的勵磁系統(tǒng)來分析，主要是設備陣舊落后，集成電路老化，電子元件功能不全等引起。機組的勵磁方式采用自并勵，勵磁調節(jié)采用手動調節(jié)，當需要調整時根據(jù)機組出力進行調整。機組運行至今已有二十年，電子元件的經(jīng)濟壽命也就差不多，集成電路已經(jīng)老化，勵磁調節(jié)很難達到理想的效果。

（3）液壓閘門的不安全因素嚴重影響防洪度汛的安全，威脅著全市人民生命和財產(chǎn)的安全，必須消除隱患。

（4）攔污柵的不安全直接影響機組運行，影響安全生產(chǎn)，影響經(jīng)濟效益，必須消除隱患。

6、技術改造的設想

西牛頭電站的機組設備和金屬結構已極度劣化，到了全面更新改造的時候。電站裝機容量雖然小，經(jīng)濟效益有限，但西牛頭電站位于市區(qū)，首要任務是防洪，肩負著全市人民生命和財產(chǎn)的安全，裝飾著市容市貌，發(fā)揮著不可估量的社會效益，希望上級有關部門引起重視，現(xiàn)就本人的觀點提出如下幾點設想，僅供參考：

（1）合理選擇機型：根據(jù)流量和水頭，周密設計，合理配套機組，合理利用水資源，充分發(fā)揮水輪機、發(fā)電機的效能。若機型選擇欠佳，機組長期不能在設計工況下運行，不但影響機組的出力，還影響機組的壽命。

（2）更新勵磁系統(tǒng)，采用自動調節(jié)，實行運行操作自動化：采用先進的電子技術進行自動化控制，運行參數(shù)變化時，做到安全、可靠；在出現(xiàn)異常的情況下，能夠自動跳閘和關閉機組。勵磁能自動按有功、無功的分配，自動調節(jié)發(fā)電機的定子電流，以滿足系統(tǒng)無功負荷的需要。這樣可以減少故障，減少維修，增加發(fā)電量，從而提高經(jīng)濟效益。

（3）更新改造閘門，將液壓啟閉機改為卷揚式啟閉機，以提高安全性，確保安全度汛。

（4）更新改造前池攔污柵，確保安全生產(chǎn)。

7、結束語

電站作為一個企業(yè)，要生存發(fā)展，必須科學管理，發(fā)展科學技術，結合實際情況，適時更新改造陣舊落后的設備，從根本上消除不安全因素，為企業(yè)增添生機與活力。

篇9

關鍵詞：創(chuàng)新主體 需求 發(fā)明專利 審查模式

中圖分類號：G306 文獻標識碼：A 文章編號：1674-098X（2013）04（c）-0220-02

科學技術創(chuàng)新能力是衡量企業(yè)、產(chǎn)業(yè)乃至國家核心競爭力最重要的標準之一。如何提高科學技術創(chuàng)新能力，將科技優(yōu)勢轉化為經(jīng)濟競爭優(yōu)勢已經(jīng)成為各國關注的焦點。我國政府高度重視，在《國家中長期科學和技術發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020）》中指出了“自主創(chuàng)新，重點跨越，支撐發(fā)展，引領未來”的科技工作的指導方針。我國創(chuàng)新主體迫切需求是什么？我國現(xiàn)有的專利審查模式是否能夠滿足創(chuàng)新主體的迫切需求？帶著這些疑問，我們開始本次專利審查需求的調研。選擇國家科技重大專項部分課題承擔單位作為調查對象，設計調查問卷，就專利申請和審查相關的問題進行了需求調研，最后對調研結果進行詳細分析，找出專利審查工作中急需解決的問題，得出調研結果初步結論，并給出建議。

1 調研情況概況

1.1 調研對象

02國家重大專項課題（簡稱02專項）是極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專項。集成電路產(chǎn)業(yè)是高新技術最高端、最密集的行業(yè)之一。“十一五”時期，集成電路裝備專項各單位已累計申請專利4248件，研發(fā)成果實現(xiàn)銷售總額已超過100億元，帶動相關產(chǎn)業(yè)增長近千億元。由此可見，02專項的課題承擔單位對知識產(chǎn)權的認知度較高，運用知識產(chǎn)權的能力較強，具有一定的代表性。

04國家重大專項課題（簡稱04專項）是高檔數(shù)控機床與基礎制造裝備專項，該專項是對我國科技發(fā)展具有重大決定性作用的傳統(tǒng)重點技術領域，具有一定的代表性。

因此，選擇02專項、04專項課題部分承擔單位作為調研對象。

1.2 調研問卷設計

首先對02和04專項的部分課題承擔單位的發(fā)明專利申請和審批情況進行統(tǒng)計和分析。其中包括02專項09年立項涉及的74家重大專項課題承擔單位中的前20家、04專項09年立項涉及的194家重大專項課題承擔單位中的前20家。分別對上述各單位的專利申請情況進行了詳細的檢索查詢和記錄，記錄要點包括：申請?zhí)?、申請日、申請人、發(fā)明人、公開日、第一次審查意見通知書發(fā)文日、通知書總次數(shù)、結案日、是否申請加快審查、結案狀態(tài)為駁回還是授權、駁回原因、是否提出復審請求、復審結論等。

通過對上述重大專項課題承擔單位的專利申請狀態(tài)的記錄和分析，初步了解了各單位的專利申請量、授權率、被駁回申請的駁回原因等基本情況，大致分析了該單位在發(fā)明專利申請審查流程中的焦點問題和突出需求，為設計調研問卷提供了一定的依據(jù)和參考。

問卷共分五部分，所涉及的方面具體如下：

第一部分：一般性問題。

第二部分：專利申請情況。

第三部分：審查速度和流程。

第四部分：實質審查標準。

第五部分：其他內容。涉及前四部分未涵蓋的內容。

1.3 調研結果分析

調研問卷通過02專項辦公室和04專項辦公室協(xié)助發(fā)放，共返回調研問卷約130份。部分題目統(tǒng)計結果詳見表1。

2 結論

2.1 申請人專利意識提升，但綜合能力還需增強

創(chuàng)新主體對于專利申請的重視程度不斷增加，知識產(chǎn)權保護意識不斷提升，但目前來看，綜合實力仍然不強，擁有專利數(shù)量不多，海外申請數(shù)量更少，這樣的狀態(tài)勢必會影響整體專利布局和自主核心技術的競爭力。因此，如何通過創(chuàng)新主體和專利行政部門的共同努力，迅速有效地增強專利申請、保護等各層面的綜合能力，是未來開展工作的重點。

2.2 專利指導及其他專利服務的需求較大

調研結果顯示，專利申請的質量和核心技術的專利布局已經(jīng)引起了創(chuàng)新主體的高度重視，但具體如何提高專利申請的質量以及合理進行專利布局還需要專業(yè)指導。在申請的準備方面，申請人在申請前大多會進行技術內容的查新工作，但相對較少關注申請文件的撰寫和專利法的相關規(guī)定。其次現(xiàn)有技術的查新渠道主要通過互聯(lián)網(wǎng)開放數(shù)據(jù)庫和機構進行檢索，但上述兩種渠道所能夠查閱的數(shù)據(jù)庫有限，某種程度上會影響檢索范圍的全面和檢索結果的準確性。另外，目前申請人專利申請的撰寫和答復主要是通過專利公司，僅有不足1/3的單位設置了專門的知識產(chǎn)權部門，部門人員的資質較低，專利申請和管理的系統(tǒng)性和專業(yè)程度不高。再有，在申請及審查過程中的困難調查中，申請人對相關專利或專利申請的法律狀態(tài)及審查信息的獲取表示出較迫切的需求。

3 建議

近幾年我國發(fā)明專利申請量激增，而現(xiàn)行的加快審查、優(yōu)先審查等專利審查模式嚴格、單一、周期長，尤其不能滿足國家科技重大專項對專利審批的需求。創(chuàng)新審查模式勢在必行，在創(chuàng)新審查模式時，可遵循以下幾點：

（1）大膽借鑒國外幾大局的實踐經(jīng)驗[1～3]。借鑒國外加快審查、優(yōu)先審查、巡回審查、集中審查、延遲審查等特殊審查模式的具體作法，并結合我國具體國情和實際需求，創(chuàng)新審查模式。

（2）對國家科技和經(jīng)濟發(fā)展具有重大意義的產(chǎn)業(yè)或行業(yè)，例如國家科技重大專項，設立專門的特殊審查模式，以快速提高國家科技核心競爭力。

（3）在創(chuàng)新審查模式時，尤其注意審查員和申請人的有效溝通，如審查意見前、后的電話溝通和Email溝通，充分給予申請人意見陳述的機會等。

（4）在創(chuàng)新審查模式時，尤其注意保證審查質量，如審查標準一致、公知常識認定合理、創(chuàng)造性和超范圍標準合理等。

參考文獻

[1] 李麗娜.美國專利商標局擬建立三種專利審查途徑[J].中國發(fā)明與專利，2010（7）：105.

篇10

關鍵詞半導體材料量子線量子點材料光子晶體

1半導體材料的戰(zhàn)略地位

上世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，導致了電子工業(yè)革命；上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進了光纖通信技術迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術產(chǎn)業(yè)，使人類進入了信息時代。超晶格概念的提出及其半導體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設計思想，使半導體器件的設計與制造從“雜質工程”發(fā)展到“能帶工程”。納米科學技術的發(fā)展和應用，將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強大的新型器件與電路，必將深刻地影響著世界的政治、經(jīng)濟格局和軍事對抗的形式，徹底改變人們的生活方式。

2幾種主要半導體材料的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢

2.1硅材料

從提高硅集成電路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）單晶的直徑和減小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si發(fā)展的總趨勢。目前直徑為8英寸（200mm）的Si單晶已實現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)，基于直徑為12英寸（300mm）硅片的集成電路（IC‘s）技術正處在由實驗室向工業(yè)生產(chǎn)轉變中。目前300mm，0.18μm工藝的硅ULSI生產(chǎn)線已經(jīng)投入生產(chǎn)，300mm，0.13μm工藝生產(chǎn)線也將在2003年完成評估。18英寸重達414公斤的硅單晶和18英寸的硅園片已在實驗室研制成功，直徑27英寸硅單晶研制也正在積極籌劃中。

從進一步提高硅IC‘S的速度和集成度看，研制適合于硅深亞微米乃至納米工藝所需的大直徑硅外延片會成為硅材料發(fā)展的主流。另外，SOI材料，包括智能剝離（Smartcut）和SIMOX材料等也發(fā)展很快。目前，直徑8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在開發(fā)中。

理論分析指出30nm左右將是硅MOS集成電路線寬的“極限”尺寸。這不僅是指量子尺寸效應對現(xiàn)有器件特性影響所帶來的物理限制和光刻技術的限制問題，更重要的是將受硅、SiO2自身性質的限制。盡管人們正在積極尋找高K介電絕緣材料（如用Si3N4等來替代SiO2），低K介電互連材料，用Cu代替Al引線以及采用系統(tǒng)集成芯片技術等來提高ULSI的集成度、運算速度和功能，但硅將最終難以滿足人類不斷的對更大信息量需求。為此，人們除尋求基于全新原理的量子計算和DNA生物計算等之外，還把目光放在以GaAs、InP為基的化合物半導體材料，特別是二維超晶格、量子阱，一維量子線與零維量子點材料和可與硅平面工藝兼容GeSi合金材料等，這也是目前半導體材料研發(fā)的重點。

2.2GaAs和InP單晶材料

GaAs和InP與硅不同，它們都是直接帶隙材料，具有電子飽和漂移速度高，耐高溫，抗輻照等特點；在超高速、超高頻、低功耗、低噪音器件和電路，特別在光電子器件和光電集成方面占有獨特的優(yōu)勢。

目前，世界GaAs單晶的總年產(chǎn)量已超過200噸，其中以低位錯密度的垂直梯度凝固法（VGF）和水平（HB）方法生長的2－3英寸的導電GaAs襯底材料為主；近年來，為滿足高速移動通信的迫切需求，大直徑（4，6和8英寸）的SI－GaAs發(fā)展很快。美國莫托羅拉公司正在籌建6英寸的SI－GaAs集成電路生產(chǎn)線。InP具有比GaAs更優(yōu)越的高頻性能，發(fā)展的速度更快，但研制直徑3英寸以上大直徑的InP單晶的關鍵技術尚未完全突破，價格居高不下。

GaAs和InP單晶的發(fā)展趨勢是：

（1）。增大晶體直徑，目前4英寸的SI－GaAs已用于生產(chǎn)，預計本世紀初的頭幾年直徑為6英寸的SI－GaAs也將投入工業(yè)應用。

（2）。提高材料的電學和光學微區(qū)均勻性。

（3）。降低單晶的缺陷密度，特別是位錯。

（4）。GaAs和InP單晶的VGF生長技術發(fā)展很快，很有可能成為主流技術。

2.3半導體超晶格、量子阱材料

半導體超薄層微結構材料是基于先進生長技術（MBE，MOCVD）的新一代人工構造材料。它以全新的概念改變著光電子和微電子器件的設計思想，出現(xiàn)了“電學和光學特性可剪裁”為特征的新范疇，是新一代固態(tài)量子器件的基礎材料。

（1）Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。

GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP／InP等GaAs、InP基晶格匹配和應變補償材料體系已發(fā)展得相當成熟，已成功地用來制造超高速，超高頻微電子器件和單片集成電路。高電子遷移率晶體管（HEMT），贗配高電子遷移率晶體管（P－HEMT）器件最好水平已達fmax=600GHz，輸出功率58mW，功率增益6.4db；雙異質結雙極晶體管（HBT）的最高頻率fmax也已高達500GHz，HEMT邏輯電路研制也發(fā)展很快?；谏鲜霾牧象w系的光通信用1.3μm和1.5μm的量子阱激光器和探測器，紅、黃、橙光發(fā)光二極管和紅光激光器以及大功率半導體量子阱激光器已商品化；表面光發(fā)射器件和光雙穩(wěn)器件等也已達到或接近達到實用化水平。目前，研制高質量的1.5μm分布反饋（DFB）激光器和電吸收（EA）調制器單片集成InP基多量子阱材料和超高速驅動電路所需的低維結構材料是解決光纖通信瓶頸問題的關鍵，在實驗室西門子公司已完成了80×40Gbps傳輸40km的實驗。另外，用于制造準連續(xù)兆瓦級大功率激光陣列的高質量量子阱材料也受到人們的重視。

雖然常規(guī)量子阱結構端面發(fā)射激光器是目前光電子領域占統(tǒng)治地位的有源器件，但由于其有源區(qū)極?。ā?.01μm）端面光電災變損傷，大電流電熱燒毀和光束質量差一直是此類激光器的性能改善和功率提高的難題。采用多有源區(qū)量子級聯(lián)耦合是解決此難題的有效途徑之一。我國早在1999年，就研制成功980nmInGaAs帶間量子級聯(lián)激光器，輸出功率達5W以上；2000年初，法國湯姆遜公司又報道了單個激光器準連續(xù)輸出功率超過10瓦好結果。最近，我國的科研工作者又提出并開展了多有源區(qū)縱向光耦合垂直腔面發(fā)射激光器研究，這是一種具有高增益、極低閾值、高功率和高光束質量的新型激光器，在未來光通信、光互聯(lián)與光電信息處理方面有著良好的應用前景。

為克服PN結半導體激光器的能隙對激光器波長范圍的限制，1994年美國貝爾實驗室發(fā)明了基于量子阱內子帶躍遷和阱間共振隧穿的量子級聯(lián)激光器，突破了半導體能隙對波長的限制。自從1994年InGaAs／InAIAs／InP量子級聯(lián)激光器（QCLs）發(fā)明以來，Bell實驗室等的科學家，在過去的7年多的時間里，QCLs在向大功率、高溫和單膜工作等研究方面取得了顯著的進展。2001年瑞士Neuchatel大學的科學家采用雙聲子共振和三量子阱有源區(qū)結構使波長為9.1μm的QCLs的工作溫度高達312K，連續(xù)輸出功率3mW.量子級聯(lián)激光器的工作波長已覆蓋近紅外到遠紅外波段（3－87μm），并在光通信、超高分辨光譜、超高靈敏氣體傳感器、高速調制器和無線光學連接等方面顯示出重要的應用前景。中科院上海微系統(tǒng)和信息技術研究所于1999年研制成功120K5μm和250K8μm的量子級聯(lián)激光器；中科院半導體研究所于2000年又研制成功3.7μm室溫準連續(xù)應變補償量子級聯(lián)激光器，使我國成為能研制這類高質量激光器材料為數(shù)不多的幾個國家之一。

目前，Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料作為超薄層微結構材料發(fā)展的主流方向，正從直徑3英寸向4英寸過渡；生產(chǎn)型的MBE和M0CVD設備已研制成功并投入使用，每臺年生產(chǎn)能力可高達3.75×104片4英寸或1.5×104片6英寸。英國卡迪夫的MOCVD中心，法國的PicogigaMBE基地，美國的QED公司，Motorola公司，日本的富士通，NTT，索尼等都有這種外延材料出售。生產(chǎn)型MBE和MOCVD設備的成熟與應用，必然促進襯底材料設備和材料評價技術的發(fā)展。

（2）硅基應變異質結構材料。

硅基光、電器件集成一直是人們所追求的目標。但由于硅是間接帶隙，如何提高硅基材料發(fā)光效率就成為一個亟待解決的問題。雖經(jīng)多年研究，但進展緩慢。人們目前正致力于探索硅基納米材料（納米Si／SiO2），硅基SiGeC體系的Si1－yCy/Si1－xGex低維結構，Ge／Si量子點和量子點超晶格材料，Si／SiC量子點材料，GaN／BP／Si以及GaN／Si材料。最近，在GaN／Si上成功地研制出LED發(fā)光器件和有關納米硅的受激放大現(xiàn)象的報道，使人們看到了一線希望。

另一方面，GeSi／Si應變層超晶格材料，因其在新一代移動通信上的重要應用前景，而成為目前硅基材料研究的主流。Si/GeSiMODFET和MOSFET的最高截止頻率已達200GHz，HBT最高振蕩頻率為160GHz，噪音在10GHz下為0.9db，其性能可與GaAs器件相媲美。

盡管GaAs／Si和InP／Si是實現(xiàn)光電子集成理想的材料體系，但由于晶格失配和熱膨脹系數(shù)等不同造成的高密度失配位錯而導致器件性能退化和失效，防礙著它的使用化。最近，Motolora等公司宣稱，他們在12英寸的硅襯底上，用鈦酸鍶作協(xié)變層（柔性層），成功的生長了器件級的GaAs外延薄膜，取得了突破性的進展。

2.4一維量子線、零維量子點半導體微結構材料

基于量子尺寸效應、量子干涉效應，量子隧穿效應和庫侖阻效應以及非線性光學效應等的低維半導體材料是一種人工構造（通過能帶工程實施）的新型半導體材料，是新一代微電子、光電子器件和電路的基礎。它的發(fā)展與應用，極有可能觸發(fā)新的技術革命。

目前低維半導體材料生長與制備主要集中在幾個比較成熟的材料體系上，如GaAlAs／GaAs，In（Ga）As／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，In（Ga）As／InAlAs／InP，InGaAsP／InAlAs／InP以及GeSi／Si等，并在納米微電子和光電子研制方面取得了重大進展。俄羅斯約飛技術物理所MBE小組，柏林的俄德聯(lián)合研制小組和中科院半導體所半導體材料科學重點實驗室的MBE小組等研制成功的In（Ga）As／GaAs高功率量子點激光器，工作波長lμm左右，單管室溫連續(xù)輸出功率高達3.6～4W.特別應當指出的是我國上述的MBE小組，2001年通過在高功率量子點激光器的有源區(qū)材料結構中引入應力緩解層，抑制了缺陷和位錯的產(chǎn)生，提高了量子點激光器的工作壽命，室溫下連續(xù)輸出功率為1W時工作壽命超過5000小時，這是大功率激光器的一個關鍵參數(shù)，至今未見國外報道。

在單電子晶體管和單電子存貯器及其電路的研制方面也獲得了重大進展，1994年日本NTT就研制成功溝道長度為30nm納米單電子晶體管，并在150K觀察到柵控源－漏電流振蕩；1997年美國又報道了可在室溫工作的單電子開關器件，1998年Yauo等人采用0.25微米工藝技術實現(xiàn)了128Mb的單電子存貯器原型樣機的制造，這是在單電子器件在高密度存貯電路的應用方面邁出的關鍵一步。目前，基于量子點的自適應網(wǎng)絡計算機，單光子源和應用于量子計算的量子比特的構建等方面的研究也正在進行中。

與半導體超晶格和量子點結構的生長制備相比，高度有序的半導體量子線的制備技術難度較大。中科院半導體所半導體材料科學重點實驗室的MBE小組，在繼利用MBE技術和SK生長模式，成功地制備了高空間有序的InAs／InAI（Ga）As／InP的量子線和量子線超晶格結構的基礎上，對InAs／InAlAs量子線超晶格的空間自對準（垂直或斜對準）的物理起因和生長控制進行了研究，取得了較大進展。

王中林教授領導的喬治亞理工大學的材料科學與工程系和化學與生物化學系的研究小組，基于無催化劑、控制生長條件的氧化物粉末的熱蒸發(fā)技術，成功地合成了諸如ZnO、SnO2、In2O3和Ga2O3等一系列半導體氧化物納米帶，它們與具有圓柱對稱截面的中空納米管或納米線不同，這些原生的納米帶呈現(xiàn)出高純、結構均勻和單晶體，幾乎無缺陷和位錯；納米線呈矩形截面，典型的寬度為20－300nm，寬厚比為5－10，長度可達數(shù)毫米。這種半導體氧化物納米帶是一個理想的材料體系，可以用來研究載流子維度受限的輸運現(xiàn)象和基于它的功能器件制造。香港城市大學李述湯教授和瑞典隆德大學固體物理系納米中心的LarsSamuelson教授領導的小組，分別在SiO2／Si和InAs／InP半導體量子線超晶格結構的生長制各方面也取得了重要進展。

低維半導體結構制備的方法很多，主要有：微結構材料生長和精細加工工藝相結合的方法，應變自組裝量子線、量子點材料生長技術，圖形化襯底和不同取向晶面選擇生長技術，單原子操縱和加工技術，納米結構的輻照制備技術，及其在沸石的籠子中、納米碳管和溶液中等通過物理或化學方法制備量子點和量子線的技術等。目前發(fā)展的主要趨勢是尋找原子級無損傷加工方法和納米結構的應變自組裝可控生長技術，以求獲得大小、形狀均勻、密度可控的無缺陷納米結構。

2.5寬帶隙半導體材料

寬帶隙半導體材主要指的是金剛石，III族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（ZnO等）及固溶體等，特別是SiC、GaN和金剛石薄膜等材料，因具有高熱導率、高電子飽和漂移速度和大臨界擊穿電壓等特點，成為研制高頻大功率、耐高溫、抗輻照半導體微電子器件和電路的理想材料；在通信、汽車、航空、航天、石油開采以及國防等方面有著廣泛的應用前景。另外，III族氮化物也是很好的光電子材料，在藍、綠光發(fā)光二極管（LED）和紫、藍、綠光激光器（LD）以及紫外探測器等應用方面也顯示了廣泛的應用前景。隨著1993年GaN材料的P型摻雜突破，GaN基材料成為藍綠光發(fā)光材料的研究熱點。目前，GaN基藍綠光發(fā)光二極管己商品化，GaN基LD也有商品出售，最大輸出功率為0.5W.在微電子器件研制方面，GaN基FET的最高工作頻率（fmax）已達140GHz，fT=67GHz，跨導為260ms／mm；HEMT器件也相繼問世，發(fā)展很快。此外，256×256GaN基紫外光電焦平面陣列探測器也已研制成功。特別值得提出的是，日本Sumitomo電子工業(yè)有限公司2000年宣稱，他們采用熱力學方法已研制成功2英寸GaN單晶材料，這將有力的推動藍光激光器和GaN基電子器件的發(fā)展。另外，近年來具有反常帶隙彎曲的窄禁帶InAsN，InGaAsN，GaNP和GaNAsP材料的研制也受到了重視，這是因為它們在長波長光通信用高T0光源和太陽能電池等方面顯示了重要應用前景。

以Cree公司為代表的體SiC單晶的研制已取得突破性進展，2英寸的4H和6HSiC單晶與外延片，以及3英寸的4HSiC單晶己有商品出售；以SiC為GaN基材料襯低的藍綠光LED業(yè)已上市，并參于與以藍寶石為襯低的GaN基發(fā)光器件的竟爭。其他SiC相關高溫器件的研制也取得了長足的進步。目前存在的主要問題是材料中的缺陷密度高，且價格昂貴。

II－VI族蘭綠光材料研制在徘徊了近30年后，于1990年美國3M公司成功地解決了II－VI族的P型摻雜難點而得到迅速發(fā)展。1991年3M公司利用MBE技術率先宣布了電注入（Zn，Cd）Se／ZnSe蘭光激光器在77K（495nm）脈沖輸出功率100mW的消息，開始了II－VI族蘭綠光半導體激光（材料）器件研制的。經(jīng)過多年的努力，目前ZnSe基II－VI族蘭綠光激光器的壽命雖已超過1000小時，但離使用差距尚大，加之GaN基材料的迅速發(fā)展和應用，使II－VI族蘭綠光材料研制步伐有所變緩。提高有源區(qū)材料的完整性，特別是要降低由非化學配比導致的點缺陷密度和進一步降低失配位錯和解決歐姆接觸等問題，仍是該材料體系走向實用化前必須要解決的問題。

寬帶隙半導體異質結構材料往往也是典型的大失配異質結構材料，所謂大失配異質結構材料是指晶格常數(shù)、熱膨脹系數(shù)或晶體的對稱性等物理參數(shù)有較大差異的材料體系，如GaN／藍寶石（Sapphire），SiC／Si和GaN／Si等。大晶格失配引發(fā)界面處大量位錯和缺陷的產(chǎn)生，極大地影響著微結構材料的光電性能及其器件應用。如何避免和消除這一負面影響，是目前材料制備中的一個迫切要解決的關鍵科學問題。這個問題的解泱，必將大大地拓寬材料的可選擇余地，開辟新的應用領域。

目前，除SiC單晶襯低材料，GaN基藍光LED材料和器件已有商品出售外，大多數(shù)高溫半導體材料仍處在實驗室研制階段，不少影響這類材料發(fā)展的關鍵問題，如GaN襯底，ZnO單晶簿膜制備，P型摻雜和歐姆電極接觸，單晶金剛石薄膜生長與N型摻雜，II－VI族材料的退化機理等仍是制約這些材料實用化的關鍵問題，國內外雖已做了大量的研究，至今尚未取得重大突破。

3光子晶體

光子晶體是一種人工微結構材料，介電常數(shù)周期的被調制在與工作波長相比擬的尺度，來自結構單元的散射波的多重干涉形成一個光子帶隙，與半導體材料的電子能隙相似，并可用類似于固態(tài)晶體中的能帶論來描述三維周期介電結構中光波的傳播，相應光子晶體光帶隙（禁帶）能量的光波模式在其中的傳播是被禁止的。如果光子晶體的周期性被破壞，那么在禁帶中也會引入所謂的“施主”和“受主”模，光子態(tài)密度隨光子晶體維度降低而量子化。如三維受限的“受主”摻雜的光子晶體有希望制成非常高Q值的單模微腔，從而為研制高質量微腔激光器開辟新的途徑。光子晶體的制備方法主要有：聚焦離子束（FIB）結合脈沖激光蒸發(fā)方法，即先用脈沖激光蒸發(fā)制備如Ag/MnO多層膜，再用FIB注入隔離形成一維或二維平面陣列光子晶體；基于功能粒子（磁性納米顆粒Fe2O3，發(fā)光納米顆粒CdS和介電納米顆粒TiO2）和共軛高分子的自組裝方法，可形成適用于可光范圍的三維納米顆粒光子晶體；二維多空硅也可制作成一個理想的3－5μm和1.5μm光子帶隙材料等。目前，二維光子晶體制造已取得很大進展，但三維光子晶體的研究，仍是一個具有挑戰(zhàn)性的課題。最近，Campbell等人提出了全息光柵光刻的方法來制造三維光子晶體，取得了進展。

4量子比特構建與材料

隨著微電子技術的發(fā)展，計算機芯片集成度不斷增高，器件尺寸越來越?。╪m尺度）并最終將受到器件工作原理和工藝技術限制，而無法滿足人類對更大信息量的需求。為此，發(fā)展基于全新原理和結構的功能強大的計算機是21世紀人類面臨的巨大挑戰(zhàn)之一。1994年Shor基于量子態(tài)疊加性提出的量子并行算法并證明可輕而易舉地破譯目前廣泛使用的公開密鑰Rivest，Shamir和Adlman（RSA）體系，引起了人們的廣泛重視。

所謂量子計算機是應用量子力學原理進行計的裝置，理論上講它比傳統(tǒng)計算機有更快的運算速度，更大信息傳遞量和更高信息安全保障，有可能超越目前計算機理想極限。實現(xiàn)量子比特構造和量子計算機的設想方案很多，其中最引人注目的是Kane最近提出的一個實現(xiàn)大規(guī)模量子計算的方案。其核心是利用硅納米電子器件中磷施主核自旋進行信息編碼，通過外加電場控制核自旋間相互作用實現(xiàn)其邏輯運算，自旋測量是由自旋極化電子電流來完成，計算機要工作在mK的低溫下。

這種量子計算機的最終實現(xiàn)依賴于與硅平面工藝兼容的硅納米電子技術的發(fā)展。除此之外，為了避免雜質對磷核自旋的干擾，必需使用高純（無雜質）和不存在核自旋不等于零的硅同位素（29Si）的硅單晶；減小SiO2絕緣層的無序漲落以及如何在硅里摻入規(guī)則的磷原子陣列等是實現(xiàn)量子計算的關鍵。量子態(tài)在傳輸，處理和存儲過程中可能因環(huán)境的耦合（干擾），而從量子疊加態(tài)演化成經(jīng)典的混合態(tài)，即所謂失去相干，特別是在大規(guī)模計算中能否始終保持量子態(tài)間的相干是量子計算機走向實用化前所必需克服的難題。

5發(fā)展我國半導體材料的幾點建議

鑒于我國目前的工業(yè)基礎，國力和半導體材料的發(fā)展水平，提出以下發(fā)展建議供參考。

5.1硅單晶和外延材料硅材料作為微電子技術的主導地位

至少到本世紀中葉都不會改變，至今國內各大集成電路制造廠家所需的硅片基本上是依賴進口。目前國內雖已可拉制8英寸的硅單晶和小批量生產(chǎn)6英寸的硅外延片，然而都未形成穩(wěn)定的批量生產(chǎn)能力，更談不上規(guī)模生產(chǎn)。建議國家集中人力和財力，首先開展8英寸硅單晶實用化和6英寸硅外延片研究開發(fā)，在“十五”的后期，爭取做到8英寸集成電路生產(chǎn)線用硅單晶材料的國產(chǎn)化，并有6～8英寸硅片的批量供片能力。到2010年左右，我國應有8～12英寸硅單晶、片材和8英寸硅外延片的規(guī)模生產(chǎn)能力；更大直徑的硅單晶、片材和外延片也應及時布點研制。另外，硅多晶材料生產(chǎn)基地及其相配套的高純石英、氣體和化學試劑等也必需同時給以重視，只有這樣，才能逐步改觀我國微電子技術的落后局面，進入世界發(fā)達國家之林。

5.2GaAs及其有關化合物半導體單晶材料發(fā)展建議

GaAs、InP等單晶材料同國外的差距主要表現(xiàn)在拉晶和晶片加工設備落后，沒有形成生產(chǎn)能力。相信在國家各部委的統(tǒng)一組織、領導下，并爭取企業(yè)介入，建立我國自己的研究、開發(fā)和生產(chǎn)聯(lián)合體，取各家之長，分工協(xié)作，到2010年趕上世界先進水平是可能的。要達到上述目的，到“十五”末應形成以4英寸單晶為主2－3噸／年的SI－GaAs和3－5噸／年摻雜GaAs、InP單晶和開盒就用晶片的生產(chǎn)能力，以滿足我國不斷發(fā)展的微電子和光電子工業(yè)的需術。到2010年，應當實現(xiàn)4英寸GaAs生產(chǎn)線的國產(chǎn)化，并具有滿足6英寸線的供片能力。

5.3發(fā)展超晶格、量子阱和一維、零維半導體微結構材料的建議

（1）超晶格、量子阱材料從目前我國國力和我們已有的基礎出發(fā)，應以三基色（超高亮度紅、綠和藍光）材料和光通信材料為主攻方向，并兼顧新一代微電子器件和電路的需求，加強MBE和MOCVD兩個基地的建設，引進必要的適合批量生產(chǎn)的工業(yè)型MBE和MOCVD設備并著重致力于GaAlAs／GaAs，InGaAlP／InGaP，GaN基藍綠光材料，InGaAs／InP和InGaAsP／InP等材料體系的實用化研究是當務之急，爭取在“十五”末，能滿足國內2、3和4英寸GaAs生產(chǎn)線所需要的異質結材料。到2010年，每年能具備至少100萬平方英寸MBE和MOCVD微電子和光電子微結構材料的生產(chǎn)能力。達到本世紀初的國際水平。

寬帶隙高溫半導體材料如SiC，GaN基微電子材料和單晶金剛石薄膜以及ZnO等材料也應擇優(yōu)布點，分別做好研究與開發(fā)工作。

（2）一維和零維半導體材料的發(fā)展設想。基于低維半導體微結構材料的固態(tài)納米量子器件，目前雖然仍處在預研階段，但極其重要，極有可能觸發(fā)微電子、光電子技術新的革命。低維量子器件的制造依賴于低維結構材料生長和納米加工技術的進步，而納米結構材料的質量又很大程度上取決于生長和制備技術的水平。因而，集中人力、物力建設我國自己的納米科學與技術研究發(fā)展中心就成為了成敗的關鍵。具體目標是，“十五”末，在半導體量子線、量子點材料制備，量子器件研制和系統(tǒng)集成等若干個重要研究方向接近當時的國際先進水平；2010年在有實用化前景的量子點激光器，量子共振隧穿器件和單電子器件及其集成等研發(fā)方面，達到國際先進水平，并在國際該領域占有一席之地?？梢灶A料，它的實施必將極大地增強我國的經(jīng)濟和國防實力。